Qorvo技术问答丨关于GaN应用选型中的几个常见问题解答

GaN射频功率放大器基于其高击穿电场和宽禁带材料特性，实现了高功率密度和耐压能力。结合包络跟踪（ET）动态调整电源电压和数字预失真（DPD）技术补偿非线性，GaN PA有效克服了OFDM波形的高峰均比挑战，在保持高线性度的同时大幅提升了5G/6G基站的平均工作效率。

氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带材料，正结构性重塑射频功率放大器。凭借宽禁带、高临界电场、二维电子气效应及GaN-on-SiC的卓越热管理能力，GaN PA超越Si LDMOS和GaAs的频率、功率和热管理极限。这使得PA具备极高的功率密度、效率、频率和可靠性，大幅缩小尺寸。

氮化镓（GaN）射频器件凭借宽禁带实现极高功率密度和击穿电压，满足5G/6G高功率需求。其高电子迁移率和高饱和漂移速度赋予卓越的大带宽和高频适应性，结合高增益与数字预失真技术提升线性度，成为未来通信高效率、高性能转型的核心硬件驱动力。

氮化镓凭借宽禁带实现高耐压、小尺寸，并以极低Qg和Qoss显著降低开关损耗，支持开关频率升至MHz级，从而实现无源元件小型化和高功率密度。其高效率特性简化热管理，驱动电源系统向极致小型化和性能飞跃的革命性转型。

GaN凭借高功率密度和高电子饱和速率，成为6G毫米波/太赫兹射频前端核心。其技术原理优势在于宽禁带和高热导率克服高频损耗。主要挑战在于器件微缩制造精度、InP异质集成、金刚石衬底的极致热管理，以及通过硅基化降低成本，确保大规模应用中的性能与可靠性。