揭秘不可忽视的电源防反接电路设计
电子设备设计中,电源防反接电路非常关键。它能避免因为电源接错导致的设备损坏。市场上有很多不同的防反接电路设计,每种设计都有独特的好处。这篇文章会详细解释这些设计的差异,帮助大家选到最适合自己的方案。
在具体应用时,G极上通常串联一个电阻,这是为了保护MOS管不被高电压击穿。有时还会加上稳压二极管,或者并联一个电容在分压电阻上,这样电容在电流开始流动时会充电,使G极的电压慢慢升高,起到一个软启动的效果。

对于PMOS来说,它与NMOS的一个主要区别是,PMOS的开启电压可以是0,而NMOS需要Vgs大于某个阈值电压才能导通。而且,PMOS在DS之间的压差较小,所以相比NMOS,PMOS在某些方面更有优势。
保险丝防护和PMOS防反接保护电路都是为了确保电路安全而设计的。当电源接反了,电路中会出现短路,这会导致电流突然增大。为了防止电路因此受损,保险丝会被设计得在这个大电流下熔断,从而断开电路,起到保护电路的作用。
而PMOS防反接保护电路则是通过PMOS管来实现的。PMOS管在这里就像是一个电源开关,可以控制负载与电源的连接或断开。当电源连接正确时,PMOS管因为栅极到源极之间的电压合适而导通,让电流流过。但如果电源接反了,栅极到源极的电压就会太低,这样PMOS管就不会导通,从而把负载与电源断开,防止电路受到损害。
RDS(漏源电阻),这个电阻值越低,MOSFET在工作时产生的热量就越少,输出压降也越低,这对提高效率和延长使用寿命非常有帮助。如果RDS值过高,会导致更多的能量以热能形式散失,影响整体性能。漏极电流是MOSFET能够处理的最大电流。在选择时,我们要确保MOSFET的漏极电流值大于或等于电路中的负载电流。例如,如果负载需要2A的电流,那么选择一个漏极电流为3A的MOSFET就是比较安全的选择。
DS漏源电压也是一个重要的参数,这个电压值必须高于电路中的工作电压,以确保MOSFET能够正常工作。如果电路的最大电压是30V,那么选择一个漏源电压为50V的MOSFET会更为安全。齐纳二极管用于保护MOSFET的栅极,防止栅极到源极电压过高而损坏MOSFET。因此,齐纳二极管的电压应略低于MOSFET的栅极最大额定电压,以确保栅极电压不会超出安全范围。
齐纳二极管和肖特基二极管在功能和应用上有明显的区别。肖特基二极管主要用于开关整流,正向导通时压降约为0.7V,能处理的整流电流很大,达到几安培。然而,如果它承受的反向电压过大,就会损坏。
齐纳二极管,也称为稳压二极管,它的特性在于,在未达到其临界反向击穿电压之前,它具有非常高的电阻。当反向电压达到或超过这个临界值时,电流会突然增大,但二极管两端的电压会基本稳定在这个击穿电压附近,从而实现稳压功能。齐纳二极管常用于提供一个简易的参考电压或做定压指示。但齐纳二极管的使用也有一些限制。它不适合用于大负载场景,只适合负载较小的场景,因为在大电流下,它会产生大量热量。此外,齐纳二极管缺乏反馈机制,所以其输出电压容易受到负载或输入电源变化的影响,输出不够稳定。
MOS管作为开关使用时,其核心在于正确连接其寄生二极管的方向。无论是N沟道还是P沟道MOS管,都必须确保寄生二极管的负极连接到输入端,而正极连接到输出端或地线。这样的连接方式才能实现其开关功能。具体来说,对于N沟道MOS管,其漏极(D极)应连接输入端,而源极(S极)则连接输出端或地线;对于P沟道MOS管,则是源极(S极)连接输入端,漏极(D极)连接输出端。
如果连接方向错误,MOS管就无法正常发挥开关作用。因为错误的连接会导致寄生二极管直接导通,使得源极的电压无条件地传递到漏极,这样MOS管就失去了控制电流通断的能力。此外,MOS管还可以用作隔离器件,起到防反接的作用。与二极管相比,MOS管在正向导通时,通过在栅极(G极)施加适当的电压,可以使其饱和导通。这种状态下,电流通过MOS管时几乎不会产生压降,从而避免了使用二极管时因导通压降而导致的电压损失。在作为隔离器件使用时,无论是N沟道还是P沟道MOS管,其寄生二极管的方向应与电路导通的方向一致。在实际应用中,使用PMOS作为隔离电路的情况较为常见。
射频开关通过绝缘体上硅工艺与倒装封装降低寄生电容与衬底损耗,利用串并联分流拓扑与动态阻抗匹配优化插入损耗并增强高频隔离度,在精密热管理与三维电磁仿真的支撑下,构建了极速路径切换与高纯净信号调度的物理核心。
射频滤波器通过压电材料的声电转换和谐振腔的电磁耦合机制,在特定频率构建低损耗通带并阻断带外干扰,利用高品质因数与精密的拓扑零点设计实现信号选频与强弱隔离,是确保复杂电磁环境下设备频谱兼容性与通信稳定性的关键物理屏障。
射频前端作为无线通信的物理枢纽,通过功率放大器增强发射能量、低噪声放大器捕捉微弱信号、滤波器纯化频谱及开关精确调度路径,利用化合物半导体材料与高度集成封装技术,克服物理衰减与电磁干扰,是定义设备通信质量与功耗的核心逻辑边界。
啊,十二月——这个挂圣诞袜、狂炫薄荷巧克力脆、还被亲友短信轰炸“该买哪款手机”的月份。但今年假日科技界的焦点,既不是人工智能烤面包机、自动驾驶滑板车,也不是那款高达800美元的 “智能保温杯”。都不是!这次节日科技树顶端的明星当属折叠屏手机。
NB-IoT实现深度覆盖主要依赖极窄带宽集中能量提高功率谱密度,结合高冗余度的信道编码和信号重复发送累积机制,成倍提升了恶劣环境下的信噪比和可靠性。同时,其通过PSM和eDRX等低功耗模式协同工作,解决了深度覆盖与终端长续航的矛盾,是蜂窝物联网的关键技术。

