在设计驱动电路，或者电源时，难免会用到MOS管，MOS管有很多种类，也有很多作用，下面我们来看看MOS管究竟有哪些类型，
罗姆又有哪些相关的产品呢?
MOS管大致分两种，增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD；耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。
1、结构和符号(以N沟道增强型为例)
在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号
2、工作原理(以N沟道增强型为例)
(1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。
VGS =0， ID =0
VGS必须大于0，管子才能工作。
(2) VGS>0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。
VGS >0→g吸引电子→反型层→导电沟道
VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑
(3) VGS≥VT时而VDS较小时：
VDS↑→ID ↑
VT：开启电压，在VDS作
用下开始导电时的VGS°
VT = VGS —VDS
(4) VGS>0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。
VDS↑→ID 不变
3、特性曲线(以N沟道增强型为例)
场效应管的转移特性曲线
4、其它类型MOS管
(1)N沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子，所以即使在VGS=0时，由于正离子的作用，两个N区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
(2)P沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0开启电压小于零，所以只有当VGS < 0时管子才能工作。
(3)P沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子，所以即使在VGS=0 时，由于负离子的作用，两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
5、场效应管的主要参数
(1) 开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)
(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)
(3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)
(4) 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。
(5) 低频跨导 gm ：表示VGS对iD的控制作用。
在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。
(6) 最大漏极电流 IDM
(7) 最大漏极耗散功率 PDM
(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS
罗姆的PrestoMOS系列
罗姆的PrestoMOS主要用作开关，具有两个很需要节能化的特性：第一是高速开关，也就是在ON/OFF的时候需要很快的切换；第二是在ON的时候导通电流要更小，这样使它在ON的时候更节能。在看体二极管，如果使体二极管的trr速度更快，使反向损耗会更少。PrestoMOS的第一代产品改变了trr的速度，使trr的速度更快。PrestoMOS的第二代产品保持以往高速trr性能的基础上，进一步降低导通电阻并提高开关速度。
这样一来，MOS管的功耗得到了进一步的降低，在相应的应用中，也能更好地节能，PrestoMOS第二代产品“R60xxMNx系列”利用ROHM多年积累的模拟技术优势，还实现了超强的短路耐受能力，减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险，有助于提高应用的可靠性。
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