ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

发布时间：2024-01-24

来源：罗姆半导体社区 (https://rohm.eefocus.com)

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全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。

二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品，其trr比平面结构的要差，因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题，ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。

“YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品，也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计，实现了业界超快的trr（15ns），与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比，trr单项的损耗降低约37%，总开关损耗降低约26%，因此，有助于降低应用产品的功耗。另外，通过采用沟槽MOS结构，与以往采用平面结构的SBD相比，正向施加时的损耗VF*2和反向施加时的损耗IR*3均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗，还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险*4。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

新产品从2023年12月起全部投入量产（样品价格：300日元～/个，不含税），样品可通过Ameya360、Sekorm、Right IC等网售平台购买。今后，ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强别具特色的产品阵容，为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。

＜关于SBD的沟槽MOS结构＞

沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽（沟槽MOS）并用多晶硅填充的结构，这种结构可以缓和电场集中，从而可以降低外延层的电阻率，在正向施加时VF更低。另外，当反向施加时，可以缓和电场集中现象，从而实现更低的IR。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构，与以往产品相比，VF改善了约7%，IR改善了约82%。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR，而且还利用ROHM自有的结构设计，实现了约15ns的业界超快trr。由于可将开关时的损耗降低约26%，因此非常有助于降低应用产品的功耗。

＜应用示例＞

・汽车LED前照灯・xEV用DC-DC转换器・工业设备电源・照明

＜产品阵容表＞

封装名封装尺寸 mm[inch]	适用于消费电子设备的产品型号	数据表	适用于车载设备的产品型号（符合AEC-Q101标准）	数据表	绝对最大额定值		电气特性					电路	网售
					VRM [V]	Io [A]	Tj Max. [℃]	VF Max.（25℃）		IR Max.（25℃）
					VRM [V]	Io [A]	Tj Max. [℃]		Cond.		Cond.
（PMDE） 2513[1005]	YQ1VWM10A		YQ1VWM10ATF		100	1	175	0.70V	IF=1A	6μA	VR=100V	单	✓
（PMDE） 2513[1005]	YQ2VWM10B		YQ2VWM10BTF		100	2	175	0.77V	IF=2A	10μA	VR=100V	单	✓
SOD-123FL （PMDU） 3516[1408]	YQ2MM10A		YQ2MM10ATF		100	2	175	0.77V	IF=2A	10μA	VR=100V	单	✓
SOD-123FL （PMDU） 3516[1408]	YQ3MM10B		YQ3MM10BTF		100	3	175	0.77V	IF=3A	15μA	VR=100V	单	✓
SOD-128 （PMDTM） 4725[1910]	YQ2LAM10B		YQ2LAM10BTF		100	2	175	0.67V	IF=2A	15μA	VR=100V	单	✓
	YQ3LAM10D		YQ3LAM10DTF			3		0.64V	IF=3A	30μA			✓
	YQ5LAM10C		YQ5LAM10CTF			5		0.77V	IF=5A	25μA			✓
	YQ5LAM10D		YQ5LAM10DTF					0.73V		30μA			✓
	YQ5LAM10E		YQ5LAM10ETF					0.61V		50μA			✓
TO-277A （TO-277GE） 6546[2618]	YQ3RSM10SD		YQ3RSM10SDTF*		100	3	175	0.64V	IF=3A	30μA	VR=100V	单	✓
	YQ5RSM10SD		YQ5RSM10SDTF*			5		0.77V	IF=5A	25μA			✓
	YQ8RSM10SD		YQ8RSM10SDTF*			8		0.67V	IF=8A	60μA			✓
	YQ10RSM10SD		YQ10RSM10SDTF*			10			IF=10A	80μA			✓
	YQ12RSM10SD		YQ12RSM10SDTF*			12			IF=12A	90μA			✓
	YQ15RSM10SD		YQ15RSM10SDTF*			15		0.68V	IF=15A	100μA			✓
TO-252AA （TO-252M / TO-252GE） 10066[3926]	YQ20BGE10SD		-	-	100	20	150	0.86V	IF=20A	80μA	VR=100V	单	✓
TO-252AA （TO-252M / TO-252GE） 10066[3926]	-	-	YQ20BM10SDFH		100	20	150	0.86V	IF=20A	80μA	VR=100V	单	✓
TO-263AB （TO-263L） 151101[5940]	☆YQ20NL10SD		☆YQ20NL10SDFH		100	20	150	0.96V	IF=20A	70μA	VR=100V	单	-
	YQ20NL10SE		YQ20NL10SEFH			20		0.86V	IF=20A	80μA			✓
	☆YQ30NL10SD		☆YQ30NL10SDFH			30		0.99V	IF=30A	95μA			-
	YQ30NL10SE		YQ30NL10SEFH			30		0.86V	IF=30A	150μA			✓
	YQ20NL10CD		YQ20NL10CDFH			20		0.71V	IF=10A	70μA		共阴极双	✓
	☆YQ30NL10CD		☆YQ30NL10CDFH			30		0.72V	IF=15A	100μA			-
	☆YQ40NL10CD		☆YQ40NL10CDFH			40		0.72V	IF=20A	160μA			-
	☆YQ60NL10CD		☆YQ60NL10CDFH			60		0.77V	IF=30A	200μA			-