离子注入技术：精密掺杂驱动功率半导体性能革命

中国上海，2025年9月11日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，将于9月24日～26日参加上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（以下简称PCIM Asia Shanghai）。届时，罗姆将展示其在工业设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时，罗姆还将在现场举办技术研讨会，分享其最新的电力电子解决方案。

全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管，被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. 生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。强制风冷型“HFA系列”和传导散热型“HCA系列”均搭载了罗姆的SiC MOSFET和SiC SBD。

长城汽车旗下的无锡芯动半导体科技有限公司（Wuxi XinDong Semiconductor Technology Co., Ltd. ）与全球知名半导体厂商罗姆（ROHM Co., Ltd. ）签署了以SiC为核心的车载功率模块战略合作伙伴协议。

全球知名半导体厂商罗姆（ROHM Co., Ltd.）于近日与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，签署了SiC功率元器件的长期供货协议。

面对多晶碳化硅（Poly-SiC）材料的未来，研究者们正聚焦于通过精细调控合成参数、采用先进烧结技术、深化缺陷工程、开发复合材料、制备高质量晶体、拓展应用范围、优化成本效益以及利用计算科学等多方面努力，以期全面提升材料性能，克服技术挑战，并开拓其在新能源、航空航天、半导体器件等关键领域的应用前景。