全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）*4电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。
随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速，对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外，对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势，预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要24小时不间断运转（始终通电），因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中，其导通损耗占比较高，因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外，服务器配备了热插拔功能，可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备，在更换等情况下，服务器内部会产生较大的浪涌电流*5。因此，更大的安全工作区范围（宽SOA范围）对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此，ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装，与以往封装形式相比，封装内部的点点taptap安卓可用面积增加，从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。
新产品均采用新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的点点taptap安卓可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻，30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ（Typ.），80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ（Typ.），非常有助于提高服务器电源电路的效率。
另外，通过优化封装内部的夹片形状设计，提高了散热性能，同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”，其SOA范围达70A以上（条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时），与以往的HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。
新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格：710日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Oneyac、Sekorm等电商平台均可购买。
ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来，ROHM将继续扩大相关产品阵容，为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。
＜产品阵容＞
|
产品型号 |
数据表 |
极性 |
VDSS
[V] |
ID
[A] |
PD
[W] |
RDS(ON)[mΩ] |
封装名
（尺寸[mm]） |
|
VGS=10V |
VGS=6.0V |
VGS=4.5V |
|
Typ. |
Max. |
Typ. |
Max. |
Typ. |
Max. |
 RS7E200BG |
 |
Nch |
30 |
390 |
180 |
0.53 |
0.67 |
- |
- |
0.75 |
1.06 |
DFN5060-8S
(5.0×6.0×1.0) |
|
RS7N200BH |
|
80 |
230 |
1.7 |
2.0 |
2.1 |
2.9 |
- |
- |
|
RS7N160BH |
|
80 |
160 |
160 |
2.2 |
2.6 |
2.7 |
3.8 |
- |
- |
＜关于EcoMOS™品牌＞
EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。
＜应用示例＞
・企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路
・AI（人工智能）服务器48V系统电源的AC-DC转换电路
・工业设备48V系统电源（风扇电机等）
文章转自罗姆官网
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