ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）是提升电动汽车续航里程的核心器件。针对其在高温工况下导通电阻退化导致电驱动系统（EDU）效率下降的问题，本文系统阐明高温导通电阻退化机理，提出器件工艺优化与系统协同抑制机制，构建可靠性保障体系，为电动汽车高效运行提供技术支撑。

碳化硅（SiC）MOSFET的导通损耗与开关速度存在固有物理权衡。低导通电阻（Rds(on)）降低导通损耗但增大栅极电荷（Qg）拖慢开关；高速开关降低开关损耗却增大电压变化率（dv/dt）噪声。传统独立优化易致性能失衡，本文剖析权衡机理并阐明协同优化路径。

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）凭借低导通电阻与高频开关特性，已成为电动汽车主逆变器与车载电源的核心器件，可显著降低功率损耗并提升续航里程。电动汽车续航瓶颈主要受电驱系统损耗制约，其中导通损耗、开关损耗与反向恢复损耗构成功率器件的主要损耗来源。本文系统剖析SiC MOSFET降低损耗的路径机制，阐明器件与系统协同的损耗控制方法，为突破电动汽车续航瓶颈提供技术支撑。

碳化硅（SiC）MOSFET是新能源汽车车载充电机（OBC）与DC/DC变换器的核心器件。车载高温工况下，其导通电阻的温漂与长期退化会直接降低充电系统效率。本文剖析SiC器件导通电阻的短期温变与长期退化规律，提出针对性的效率提升方法。

碳化硅（SiC）MOSFET在高温高压工况下的栅氧可靠性退化，核心源于SiC/SiO₂界面固有缺陷与复合应力耦合，导致阈值电压（Vth）漂移。本文阐明该退化机理，并从工艺钝化、驱动调控、应力抑制及工况适配四个维度提出抑制策略，解决宽禁带功率器件极端工况下的寿命衰减问题。