体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
中国上海,2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。

与以往封装产品相比,新产品的体积更小更薄,器件面积削减了约26%,厚度减半,仅为2.3mm。另外,很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V,而ROHM新产品则达到750V。因此,即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻,从而有助于降低开关损耗。
产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品,并已于2025年9月开始量产(样品价格:5,500日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始电商销售,从Ameya360和Sekorm等电商平台均可购买。另外,ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型,助力客户快速推进电路设计。
<开发背景>
在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中,功率呈日益提高的趋势,同时,与之相矛盾的小型化需求也与日俱增,这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源,其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求,ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。
<产品阵容>
| Part No. |
Data Sheet |
VDSS Max. [V] |
RDS(on) Typ. [mΩ] |
ID Max. [A] |
PD Max. [W] |
Storage temp. [°C] |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
750 | 13 | 120 | 405 | -40 to +175 |
|
|
|
20 | 80 | 277 | ||
|
|
|
26 | 61 | 214 | ||
|
|
|
36 | 46 | 164 | ||
|
|
|
45 | 37 | 133 | ||
|
|
|
65 | 26 | 100 |
<应用示例>
・工业设备:AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)
・消费电子:一般电源
文章转自罗姆官网
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