顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。
新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。
另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。
新产品已于2026年6月开始量产（样品价格：5500円日元/个，不含税），且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。
未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。
| Part No. for Consumer |
Data Sheet |
Part No. for Automotive (AEC-Q101 Qualified) |
Data Sheet |
VDSS (Max.) [V] |
RDS(ON) (Typ.) [mΩ] |
ID (Max.) [A] |
|---|---|---|---|---|---|---|
 SCT4013DTW |
 |
SCT4013DTWHR |
|
750 | 13 | 102 |
|
SCT4020DTW |
|
SCT4020DTWHR |
|
20 | 69 | |
|
SCT4026DTW |
|
SCT4026DTWHR |
|
26 | 54 | |
|
SCT4036DTW |
|
SCT4036DTWHR |
|
36 | 40 | |
|
SCT4045DTW |
|
SCT4045DTWHR |
|
45 | 33 | |
|
SCT4065DTW |
|
SCT4065DTWHR |
|
65 | 24 | |
|
SCT4018KTW |
|
SCT4018KTWHR |
|
1200 | 18 | 79 |
|
SCT4027KTW |
|
SCT4027KTWHR |
|
27 | 54 | |
|
SCT4036KTW |
|
SCT4036KTWHR |
|
36 | 41 | |
|
SCT4050KTW |
|
SCT4050KTWHR |
|
50 | 31 | |
|
SCT4062KTW |
|
SCT4062KTWHR |
|
62 | 25 | |
|
SCT4090KTW |
|
SCT4090KTWHR |
|
90 | 18 |
＜开发背景＞
在电动汽车（xEV）中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器（OBC）和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。
＜应用示例＞
- 车载设备：车载充电器（OBC）、电动压缩机等
- 工业设备：光伏逆变器、服务器电源等
文章转自罗姆官网
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）是提升电动汽车续航里程的核心器件。针对其在高温工况下导通电阻退化导致电驱动系统（EDU）效率下降的问题，本文系统阐明高温导通电阻退化机理，提出器件工艺优化与系统协同抑制机制，构建可靠性保障体系，为电动汽车高效运行提供技术支撑。
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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）凭借低导通电阻与高频开关特性，已成为电动汽车主逆变器与车载电源的核心器件，可显著降低功率损耗并提升续航里程。电动汽车续航瓶颈主要受电驱系统损耗制约，其中导通损耗、开关损耗与反向恢复损耗构成功率器件的主要损耗来源。本文系统剖析SiC MOSFET降低损耗的路径机制，阐明器件与系统协同的损耗控制方法，为突破电动汽车续航瓶颈提供技术支撑。
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碳化硅（SiC）MOSFET在高温高压工况下的栅氧可靠性退化，核心源于SiC/SiO₂界面固有缺陷与复合应力耦合，导致阈值电压（Vth）漂移。本文阐明该退化机理，并从工艺钝化、驱动调控、应力抑制及工况适配四个维度提出抑制策略，解决宽禁带功率器件极端工况下的寿命衰减问题。
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