更新时间 2020-01-15
BM 60212FV-C是一种高、低侧驱动的集成电路，其工作电压可达1200 V，采用自举操作，可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT。欠压锁定(UVLO)功能和米勒箝位功能是内置的.
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | bm60212fv-c-e |
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