更新时间 2020-06-09
MOSFET 和 IGBT 等功率开关器件在各式各样的电源应用或电气线路中作为开关元件使用。近年得到加速采用的 SiC MOSFET。由于在开关时的电圧电流的变化非常大，有必要准确地测定应用笔记「桥式电路栅源电压的动作」*1 所述栅源极间的电压尖峰。由此，这份应用笔记会对栅源极间电圧测定的注意点予以说明。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 中文文档 | 栅源电压测定时的注意点 |
|
3.11MB | 1156 |
