更新时间 2023-08-28
新产品效率显著高于以往IGBT产品 高速IGBT和SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD) 开通损耗大幅降低 低饱和电压 效率更高VcE(sat)=1.5V
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 中文文档 | 【新产品】内置SiC肖特基势垒二极管 Hybrid IGBT |
|
440.86KB | 563 |
