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SiC:S2301
更新时间
2025-06-25
标签:
罗姆
罗姆半导体
ROHM
SiC
S2301是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
类型
文档标题
ECAD模型
格式
版本
文件大小
下载次数
英文文档
S2301
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325
技术贴
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