MOSFET：RD3G07BATTL1

更新时间 2025-08-19

标签：罗姆罗姆半导体 ROHM MOSFET

RD3G07BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。

类型	文档标题	ECAD模型	格式	版本	文件大小	下载次数
英文文档	RD3G07BATTL1		pdf		2.59MB	230

技术贴

【ROHM官方FAQ分享】串行 EEPROM 2

【电子小百科】什么是晶体管？——MOSFET特性（2）

【电子小课堂】什么是晶体管？—— MOSFET特性（1）

【罗姆产品】ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC

ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC

【限时报名】罗姆11月微信研讨会——车载应用端的低压MOS...

【R课堂】SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性

【R课堂】SiC-MOSFET体二极管的正向特性

【ROHM官方FAQ分享】串行 EEPROM 1

【R课堂】所谓MOSFET－开关特性及其温度特性