更新时间 2026-10-17
该产品是工业设备市场的一款排名产品。这是用于这些应用场景的最佳产品。BD3GD02NVX-LB和BD3GD03NVX-LB是用于高速驱动GaN HEMT的单通道栅极驱动器。用于GaN HEMT的高速栅极驱动电路和产生栅极驱动电压的LDO被封装在一个6引脚的SON紧凑型封装中，该封装专门针对驱动E模式GaN HEMT器件进行了优化。由于其输入与Si FET的栅极驱动电压兼容，因此它可以连接到现有系统中Si FET的栅极驱动线上，从而在无需任何系统修改的情况下驱动GaN HEMT。输出引脚分为源极驱动引脚和汇极驱动引脚，源极和汇极侧的压摆率可以通过外部电阻分别进行调节。作为保护功能，在VDD和GND之间提供了一个低输入故障预防电路（UVLO），在VREG和GND之间提供了一个低输出电压保护电路（UVP）。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | BD3GD03NVX-LBE2 |
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