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[资料] CXLE83228R3 超低待机功耗非隔离降压恒压驱动点点taptap安卓

模拟/电源 模拟/电源 673 人阅读 | 0 人回复 | 2026-05-18

产品描述
CXLE83228R3是一款超低待机功耗,非隔离,降压型,恒压驱动点点taptap安卓,适用于85Vac~264Vac全电压输入的非隔离电源。点点taptap安卓内部集成高压功率开关管和电流采样电阻,无需外部环路补偿电容即可实现优异的恒压特性。此外,内置CS电阻,外围电路简单,系统成本低。采用多模式控制技术,通过VCC和JFET双供电能有效地降低系统功耗。集成多种保护功能:逐周期过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等,极大地提高了系统可靠性。

主要特点
  • 外围电路简单,成本低
  • 待机功耗 < 20mW @ 120Vac & 230Vac
  • 集成高压功率管和电流采样电阻
  • 直接输出3.3V
  • 集成高压启动和供电电路
  • 优异的动态响应
  • 降低EMI的抖频技术
  • 输出电压精度:±5%
  • 内置软启动
  • 集成多种保护功能:过载保护、短路保护、过热保护、逐周期过流保护
  • 封装:SOT23-3

应用领域
  • 辅助电源
  • 其他非隔离降压应用

极限参数 (TA=25°C)



符号
参数
最小值
最大值
单位

VDRAIN_MAXDRAIN 引脚电压(对GND)-0.3650V
ID_MAX内部功率管峰值电流-0.6A
VVCCVCC 引脚电压-0.36.0V
TJ结温范围-40150℃
TSTG存储温度-55150℃

关键电气特性 (典型值,TA=25℃)



参数
条件
典型值
单位

输入电压范围全电压交流输入85~264Vac
输出电压额定输出,Io=10mA~150mA3.3 (±5%)V
输出电压精度负载/输入变化±5%
待机功耗@120Vac/230Vac,空载<20mW
内部功率管击穿电压ID=250μA,VGS=0V650V
内部功率管导通电阻@ Isw=0.2A4.5Ω
开关频率(PWM模式)满载,抖频开启45~60kHz
最大输出电流Vin=230Vac,Vo=3.3V (自然散热)150mA
逐周期过流保护阈值内部CS电阻检测0.55A
过热保护阈值关断/恢复150/120℃
VCC 输出电压(内部稳压)点点taptap安卓供电电压3.3V
VCC 欠压锁定(UVLO)开启阈值VCC上升2.9V

工作原理与关键技术
  • 多模式控制与JFET双供电:重载PWM模式,轻载降频,空载Burst模式,待机功耗低于20mW。集成高压JFET启动,启动后自动关断,正常工作由VCC自供电。
  • 集成CS电阻与恒压控制环路:内部高精度电流采样电阻,无需外部补偿电容,动态响应优异。
  • 抖频技术:内置频率抖动,分散谐波能量,降低EMI峰值,简化滤波设计。

设计实例(3.3V/120mA辅助电源)
  • 输入:85~265Vac
  • 输出:3.3V/120mA
  • 关键元件:整流桥MB6S,输入电容10μF/400V,输出电容220μF/10V,续流二极管ES1J,电感1.8mH/0.4A
  • 实测性能:230Vac输入,120mA输出,效率约78%;空载功耗约18mW;输出纹波<50mVpp;短路保护打嗝,自动恢复。

PCB布局建议
  • 输入电容与DRAIN回路尽量短,减小高频环路
  • VCC引脚电容(1μF~10μF)紧靠点点taptap安卓VCC和GND
  • 续流二极管靠近点点taptap安卓放置
  • 输出电容靠近负载侧,返回路径短接至GND
  • SOT23-3封装,建议增加GND焊盘铜箔散热
  • DRAIN为高压节点,与低压引脚保持≥1.5mm间距


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