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NXP FRDM-IMX93开发板
Molex MiniCirc 圆形连接器
TE Connectivity 56G MezzaWave 连接器与电缆组件
NXP FRDM-MCXE31B 开发板
iMeter D7供配电异常信息捕捉及故障诊断分析装置具有高密度、高精度监测电压、电流的动态特性，针对供配电系统局部异常或局部故障，能准确记录大量波形信息及事件信息，对潜在的、瞬时的或持续性的局部故障进行灵敏识别和准确判断，快速诊断事故发生源方向及位置，保障用户供配电系统的安全、可靠运行。 >> A级电能质量监测、0.2S级高精度计量 >> 20μs瞬态捕捉、102
深圳市中电电力技术股份有限公司
ASM1042S是国科安芯研制的一款CANFD通信接口点点taptap安卓，具有高速率、高耐压、IO兼容性强等特点。速率达5Mbps，共模输入电压±30V，总线故障保护电压±70V，支持3.3V和5V MCU IO接口。采用先进抗辐照加固设计，可应用于商业航天、军工等高安全应用场景。提供国产化证明并通过AEC-Q100车规认证，点点taptap安卓设计、生产、封装、测试等全流程国产化，和TJA1042、TCAN1042完全兼容。
国科安芯
ASP3605S是国科安芯研制的一款DCDC电源点点taptap安卓，具有高效率、低纹波、大电流等特点。ASP3605S典型效率86.48%，常用场景纹波范围4.17mV~10.67mV，输出电流4A，该点点taptap安卓支持4V~15V的输入电压，输出电压范围为0.6V~5.5V。ASP3605S采用先进抗辐照工艺设计，可应用于商业航天等高安全需求场景。提供国产化证明，点点taptap安卓设计、流片、生产、封装、测试等全流程国产化，和LTC
国科安芯
ASP7A84AS是国科安芯研制的一款和TPS7A84A兼容的LDO点点taptap安卓。具有大电流、低噪声、高电源抑制比、高精度等特点，4 μVRMS输出噪声，3安培负载条件下具有300毫伏的超低压降电压。输入范围1.1 V 到 6.5 V，输出电压范围0.8 V至5.2 V。卓越瞬态响应和可调软启动控制。ASP7A84AS采用先进抗辐照加固设计，可应用于商业航天、核电站等高安全需求场景。
国科安芯
简介 Introduction 中微爱芯的AiPTB010X与AiPTS010X两大系列双向电平转换点点taptap安卓，均采用自动方向感知架构，无需方向控制引脚，即可实现多电压域之间的电平转换。两款产品均内置上下电保护电路，无需特殊的电源时序控制，确保断电时无反向电流风险，输入电压兼容性优异，可广泛适用于多电压域系统中的双向通信场景。 命名规则 Naming Rules TB系列为推挽输出模式产品
中微爱芯
PMC-590A 便携式电能质量分析仪是 CET 中电技术自主研发的新一代产品，采用先进的硬件设计技术和数值计算方法，并结合用户的实际需求研制。 产品遵循最新的电能质量七项国家标准和电能质量监测设备通用要求的国家标准，集谐波分析、波形采样、电压暂升/暂降/中断记录、闪变监测、电压不平衡度测量、波形的瞬态捕捉、事件记录、测量控制等多功能于一体，应用于监测电能质量是否符合国家标准或国际标准的场合。 在
深圳市中电电力技术股份有限公司
iMeter 7A 是 CET 中电技术的供配电异常信息捕捉及故障诊断分析装置，具有高密度、高精度监测电压、电流的动态特性。 针对供配电系统局部异常或局部故障，装置能准确记录大量波形信息及事件信息，对潜在的、瞬时的或持续性的局部故障进行灵敏识别和准确判断，快速诊断事故发生源方向及位置，保障用户供配电系统的安全、可靠运行。 在能力配置上，iMeter 7A 具备 A 级电能质量监测与 0.2S 级高
深圳市中电电力技术股份有限公司
简介 Introduction AiP74CBT系列是无锡中微爱芯电子有限公司推出的高性能CMOS总线开关与模拟开关，覆盖1路、2路、4路、8路、10路、16路、20路、24路、2选1、4选1、8选1等全规格配置，专为5V系统信号切换、多路复用、总线隔离与路由设计。 产品具有低导通电阻、高速响应、宽温稳定、低功耗等特性，可直接对标国外主流品牌，满足工业、汽车、消费电子、通信设备等多场景可靠应用。
中微爱芯
XL-3216UBBC 是一款1206封装（3.2×1.6×0.8mm）的蓝色贴片LED，采用无极双极性设计，不区分正负极，焊接更加便捷，有效避免因极性错误导致的装配不良。产品采用透明胶体封装，发光强度100~200mcd（@20mA），主波长450~470nm，120°宽发光角度，适用于SMT贴片自动化生产。蓝光冷色调，科技感与现代感强，适用于各类指示灯与背光应用。产品符合ROHS环保要求，湿气
成兴光 【XINGLIGHT】
XL-2012UWWC-A 是一款0805封装（2.0×1.2×0.8mm）的高亮自然白贴片LED，采用无极双极性设计，不区分正负极，焊接更加便捷，有效避免因极性错误导致的装配不良。产品采用透明胶体封装，发光强度500~1100mcd（@20mA），色温约4500K（自然白），光色柔和舒适，显色指数Ra≥70，120°宽发光角度，适用于SMT贴片自动化生产。产品符合ROHS环保要求，湿气敏感性等级
成兴光 【XINGLIGHT】
XL-2012UGGC 是一款0805封装（2.0×1.2×0.8mm）的翠绿色贴片LED，采用无极双极性设计，不区分正负极，焊接更加便捷，有效避免因极性错误导致的装配不良。产品采用透明胶体封装，发光强度500~740mcd（@20mA），主波长515~535nm，色彩鲜艳、辨识度极高，120°宽发光角度，适用于SMT贴片自动化生产。产品符合ROHS环保要求，湿气敏感性等级（MSL）为3级，ESD
成兴光 【XINGLIGHT】
Geehy极海半导体
RST20N02YD RevA 是瑞斯特推出 SOP-8 封装单 N 沟道增强型功率 MOS，采用沟槽点点taptap安卓工艺，核心规格为 20V 漏源耐压、20A 连续额定电流，主打低压大电流低导通损耗场景。器件低压驱动表现优异，4.5V 栅压下典型导通电阻仅 4.6mΩ，2.5V 低逻辑驱动时典型值 5.8mΩ，适配 3.3V/5V 通用 MCU 直接驱动；器件全产完成 UIS 雪崩与内置栅电阻检测，单脉冲雪
瑞斯特半导体RST
RST100D85 RevA 为 SOP-8 标准封装集成双独立 N 沟道增强型 MOS 器件，单管额定耐压 100V、连续电流 3.5A，单颗封装集成两路完全隔离 N 管，可同步实现两路独立功率控制。器件驱动兼容性良好，10V 栅压下典型导通电阻 78mΩ，4.5V 逻辑驱动工况典型值 83mΩ，出厂完成 UIS 雪崩与栅电阻全项检测，单脉冲雪崩能量 12mJ，具备基础感性浪涌防护能力。静态电气
瑞斯特半导体RST
RST2012 是采用 TSSOP8 超薄封装的集成双路独立 N 沟道增强型 MOS 器件，单管额定 20V 耐压、25℃环境 7.5A 连续导通电流，核心优势为超低压导通内阻与宽范围低逻辑驱动适配能力，2.5V、3.1V、4V、4.5V 多档栅压下导通内阻分别仅 14.5mΩ、13mΩ、12mΩ、10mΩ，适配笔记本、便携设备通用低电压 MCU 直接驱动。器件出厂完成 100% UIS 雪崩测试
瑞斯特半导体RST
简介 Introduction 车身控制、车载交互、电控单元中的底层逻辑电路规模持续扩张。逻辑点点taptap安卓作为整车数字电路的"基石元器件"，其可靠性直接决定了车载系统的运行稳定性。 AiP74HC00-Q1是中微爱芯近期推出的一款四路2输入taptap安装正版入口门，其具备高性能、高可靠性、封装体积小、供应链国产化自主可控等优势，在车载电子领域可无损替代国外主流竞品，是国产替代的不二之选。 产品优势 Product adva
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【云上实验室抢先体验版】FRDM-MCXN947人脸识别DEMO
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