• 满足具有双向功能的车载充电机的设计要求
    聚焦双向车载充电器(OBC)设计需求,探讨 3.6-22kW 功率范围的相关技术。介绍了多种拓扑结构如 PFC、LLC/CLLC 等,对比硅(Si)与碳化硅(SiC)的材料特性及应用优势,分析 LLC 转换器的传递函数与增益特性,还涉及控制器设计、状态转换及器件参数对系统的影响,为双向 OBC 设计提供参考。
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  • 采用单个 AURIX™ TC4x 微控制器实现车载充电机与高低压DC-DC的集成应用
    探讨使用单个英飞凌 AURIX™ TC4x 微控制器(MCU)集成车载充电器(OBC)和 HV-LV DC-DC 转换器的可行性。介绍了相关拓扑结构、控制算法及模型设计,阐述该 MCU 的性能优势,通过可行性研究证明其可高效控制三个功率级,实现成本降低与集成优化,为电动汽车提供解决方案。
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  • 配套微控制器如何优化汽车系统中的中央计算片上系统
    探讨汽车电子电气架构向软件定义车辆转型中,配套微控制器(MCU)对中央计算系统级点点taptap安卓(SoC)的优化作用。分析了架构从域控制器向域 - 区混合及集中式计算的转变,介绍配套 MCU 的角色、功能,如管理实时操作等,还提及不同实现方式及未来应用前景。
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  • 使用英飞凌半导体实现商用车脱碳
    聚焦商用车、农机和工程车(CAV)的电动化(eCAV),探讨其脱碳相关内容。涉及关键市场趋势与驱动因素,如 CO₂目标、总拥有成本(TCO)优化等,还提及长使用寿命、高功率运行等需求,以及模块化、功能安全等要求,包含相关技术组件、标准及市场增长率数据,呈现了 eCAV 发展的多维度信息。
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  • 英飞凌XENSIV™ MEMS 麦克风传感器新品介绍
    本期文档包含: 英飞凌MEMS麦克风传感器介绍 电源与传感选型手册2025-2026 【摘要】英飞凌MEMS麦克风传感器: 英飞凌 XENSIV™ MEMS 麦克风传感器,是其在传感器领域持续深耕的重要成果,我们希望全方位满足了不同应用场景的多样化需求,让用户真正的智享生活 在性能特性方面,展现出高精度拾音能力。高信噪比以及平坦的低频响应,能更好适应灵活办公需求, 在会议系统中能够精准捕捉声音信号
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  • 双向氮化镓:基本原理与设计考量
    本白皮书介绍了 CoolGaN™ 650 V 双向开关的结构和工作模式,阐述了单向开关与双向开关在栅极驱动方面的差异,并探讨了理想拓扑结构和性能评估参数。
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  • 英飞凌EiceDRIVER™ 栅极驱动IC选型指南
    每一个功率器件都需要驱动点点taptap安卓,选择正确的驱动IC至关重要。英飞凌提供广泛的EiceDRIVERT"栅极驱动IC产品组合,它们具有不同的结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。EiceDRIVERT"栅极驱动IC与英飞凌IGBT分立式器件和模块、硅MOS-FET(CooIMOST"、OptiMOST"和StrongIRFETT")和碳化硅MOSFET(CoolSiCT")、氮化HEMT(C
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  • USB 发展困境与突破之路
    USB 自问世后广泛应用,但 2013 年后发展停滞。主要因缺乏通用设备控制器。英飞凌 EZ - USB™ FX10 可解决部分问题,它简化开发流程、提升性能,有望推动 USB 在新兴领域发展,突破当前困境。
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  • 用英飞凌的USB-C PD解决方案提高充电性能
    这篇白皮书探讨了USB-C电力传输(PD)解决方案的技术进步和设计考虑,包括拓扑选择、氮化镓(GaN)器件应用和电磁干扰(EMI)缓解策略,以实现高效的充电设备设计。
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  • TDM22544D & TDM22545D 双相电源模块
    TDM22544D和TDM22545D 扩展了英飞凌的双相电源模块系列,英飞凌双相电源模块在罩个基板上集成了雨个OptiMOSTM6功率器件,亚集成了雷感和电容。与同等分立多相电源的解决方案相比,双相电源模块将面积减少了40%以上。
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  • 集成降压-升压和场效应晶体管的车规级单端口 USB PD 控制器
    EZ-PD™ CCG7SAF 是一款高度集成的单端口 USB Type-C 供电(PD)解决方案,集成了一个降压-升压控制器和两个开关 FET。它符合最新的 USB Type-C 和 PD 规范。目标应用:车载充电器(主机充电器、后座娱乐系统和后座充电器)。独家:提供初步数据表!
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  • 优化高压 GaN 晶体管 PCB 布局的 10 种方法
    高压GaN晶体管的快速开关速度带来了诸多优势,如更高的效率和增加的功率密度。 然而,这也使得 PCB 布局更具挑战性。 多年来,标准的解决方案一直是降低功率器件的开关速度,但这不仅会增加功耗还会降低效率。 很明显这不再是个理想的解决方案。请下载这份独家应用笔记!与我们共同讨论优化布局以获得最佳电气和热性能的策略。  
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  • WBG开关在电动驱动系统中的应用
    解锁宽禁带器件在电动驱动系统中的潜力,了解更多相关信息,请查阅我们的白皮书。探索高频开关对效率的影响,发现新兴趋势,并比较硅和宽禁带器件的性能。立即下载白皮书!
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  • 新型NFC标签端控制器,用于紧凑型和无电池物联网
    英飞凌 的 NFC 标签端控制器 NGC1081 是智能传感应用的颠覆者——不再需要电池!
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  • 全新EPR规范助力提升基于氮化镓的USB-C适配器和充电器的性能
    随着USB PD 3.1标准[1]的发布,最大功率被提升到了240W。但宽输出电压范围5V至48V给现有的转换器拓扑结构带来了新的挑战。本白皮书提出了AC-DC PFC升压级和DC-DC HFB(混合反激式)级[2](也称非对称半桥反激式拓扑结构)作为具有宽输入和输出电压范围的USB-PD充电器和适配器的最佳选择。 我们将一个高度集成的新型XDP™控制器XDPS2221作为二合一控制器
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  • XENSIV™ - 传输系统中的传感器使用案例
    英飞凌XENSIV强大而可靠的磁性传感器支持传输系统优化,最大限度地提高能源效率,使我们的地球更加洁净。我们强大的传感器可支持客户平台方式(标准化),可靠地减少了客户的质量问题,此外,我们还提供大量稳定的产品组合,使业务得以延续。
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  • 服务器和电信应用中的氮化镓技术
    本文将探讨增强型 GaN HEMT 在服务器电源和电信基础设施等高功率应用中的优势。与下一代最佳硅替代品相比,本文将定量地展示,基于 GaN 功率器件的系统能有多大提升。本文还将深入探讨相应拓扑结构、磁性器件选择及开关频率,以充分利用下一代功率器件的优势。
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  • 高压 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鉴定
    凭借英飞凌在电力电子领域的专业知识和众多宽禁带 (WBG) 相关 IP 产品系列,高压 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 代表着一项重大工程进步。这些非常耐用、可靠的器件大大改善了即将实现的功率转换开关器件的品质因数 (FoM)。这些器件系统性能出色——实现了更高水平的效率及行业领
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  • XENSIV™ – TLE4972 磁性电流传感器
    英飞凌 TLE4972 无芯磁电流传感器产品系列专门满足汽车应用中电流感应的要求。成熟而强大的霍尔技术能够对电流感应的磁场进行准确且高度线性的电流测量。凭借其紧凑的设计,VSON 和 TDSO 封装分别只需要 3.5 x 4.5 mm 和 6 x 5 mm 的空间,诊断模式下也同样适用,因此TLE4972 非常适合混合动力和电池驱动车辆中使用的牵引逆变器等 xEV 应用以及电池主开关。
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  • 英飞凌关于 USB-C PD 充电器的建议和解决方案
    充电器领域近期的发展和技术进步使工程师在日常生活中面临新的挑战。更高的效率、相同输出功率下更小的占用空间或相同占用空间下更大的功率是当代充电器设计中的主要挑战之一。在本白皮书中,英飞凌为工程师提供了 USB-C PD 充电领域不同解决方案的概述。文中所描述的每一个解决方案都能帮助工程师实现各种特定的设计目标,如最高的效率、提高性价比或增强设计灵活性。
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公司介绍

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、点点taptap安卓卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

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