日本罗姆公司面向赛车领域推进全碳化硅模块布局
早在Formula E上一赛季，日本罗姆半导体公司（ROHM semiconductor）就已经与法国Venturi车队达成合作协议，面向赛事车辆提供整合碳化硅器件的功率模块。日前，由ROHM提供的全碳化硅逆变器在保持性能不变的前提下已经实现了体积减小43%，重量降低6公斤的大幅度提升。
背景
去年4月，日本罗姆半导体公司就已经在PCIM 2016大会中推出了第三代650V碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）以及1200V/180A全碳化硅功率模块。相比第一代产品，第三代模块基于最新的UMOS结构其整体开关损失降低了77%。
而作为法国Venturi车队的技术合作方，在第三赛季时，罗姆向其提供了更加轻便（相比上一代降低2公斤重量）、更加高效（电子转换效率提升1.7%）的第二代碳化硅逆变器，其整合了SiC SBD器件。
最新进展
相比上一代的微小提升，这次的变化更为明显。整体采用了SiC MOSFET和SiC SBD的双SiC设计，使得体积进一步缩小30%，重量控制在了9公斤，直接减轻了4公斤。
全碳化硅模块
时任罗姆功率器件产品部门经理的 Kazuhide Ino先生认为半导体器件是混合以及电动汽车的关键技术，最新一代全碳化硅模块整合了SiC SBD和SiC MOSFET，这种技术能够大幅的提升车辆性能。同时针对车辆重新设计了逆变器的结构，改善了散热性能。对于传统的硅材料IGBT器件，在150度的工作环境下，同时还能大幅降低开关损耗。
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