罗姆半导体主流功率器件MOSFET和IGBT对比

      电子设备正朝着高频、高效、高可靠、高功率和低成本的发展方向，相应的功率器件也要求高频、高可靠、低损耗和低成本。
      目前主流的功率器件主要是MOSFET和IGBT。
      日前，日本ROHM公司在中国举办发布会，发布业界最快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS系列。罗姆半导体（上海）有限公司设计中心高级经理水原德健对MOSFET和IGBT做了市场优劣势分析：
       MOSFET优点是高频，可以工作到几百KHZ，甚至MHZ、10MHZ都没问题；缺点是不耐高压，在高压大电流场合功耗较大，1500W以上就没有优势了。IGBT优点是导通压降小，耐高压．功率可以达到5000W；弱点是开关频率最大40—50KHz，开关损耗大。

        MOSFET一般在较低功率应用及较高频应用（即功率）
        罗姆的高耐压超级结MOSFET
       功率元器件一般是由硅、碳化硅、氮化镓这三种材料做成，碳化硅和氮化镓是相对新的功率器件材料。而本次发布会介绍的产品——超级结MOSFET和PrestoMOS，是硅材料产品。
       高压MOS在市场上应用很多，每个厂家对“高压MOS”定义不同，有的说200V以上是高压MOS，但比较普遍的认为是，500-600V以上的是高压MOS。市场上用的最多的高压MOS也是600V，大概占到所有高压MOS的三分之二。

       600V里又分为三类：600V标准型，大约占整个市场的三分之一左右；600V高速开关型，占三分之一左右；600V高速trr型，大约在市场上占7%。
       从应用上，标准型和高速开关型主要是用在电源变压器上，高速trr产品主要应用在逆变上，600V之上有650V和800V的产品，主要在太阳能、电动汽车使用。再往上还有1200V和1500V的产品。
       高压MOS从构造上分为两种，平面高压MOS，和纵向纵沟槽型高压MOS，也就是超级结MOSFET。
       从2014年到2020年，MOS的整体需求量变化不大，但在需求结构上变化很大，平面MOS市场越来越变小，超级结MOSFET市场越来越大。
      为什么会出现这样的变化呢？原因在于，客户在选择产品时有两个考量：性能和价格。性能上超级结MOS更节能；价格上第0代超级结MOS价格大约是平面MOS的接近2倍；第1代大约是1.5倍；现在超级结MOSFET已经进入第2代，将要与平面MOS的价格持平。
      未来，超级结MOSFET还会推出第3代、第4代，点点taptap安卓可以做的越来越小，比平面MOS来说价格有更大的优势，性能也有更大的增强，这就决定了平面MOS的市场会越来越小。
      在这里还要提到罗姆的一个独特产品，HybridMOS。什么是HybridMOS呢？刚刚已经介绍了IGBT和MOSFET的区别，IGBT是在大功率情况下节能，MOSFET是在低功率情况下节能。这就出现了一个问题。比如空调在正常运转的时候功率很低，也就1000W左右。但在刚启动时，要瞬间制冷、瞬间制热，会达到4000到6000W，中央空调会达到8000W。
       同样一个产品，在低功率的时候也想让它节能，高功率的时候也想让它节能。但又不可能一个产品中同时用IGBT和MOSFET，如果用MOSFET在低功率时是节能的，但是在瞬间开始进行加热、制冷的时候又不是很节能。IGBT瞬间制冷，加热是很节能，但是正常运转的时候又很浪费能量，这是一个很烦恼的事情。
      这个情况下，罗姆开发了HybridMOS。在低功率的时候我们采用了MOSFET的构造，在大功率的时候采用IGBT的优点。不管是瞬间制冷，瞬间制热，还是正常运转的时候，都使能量消耗更低。
      由于同时拥有MOSFET构造，又拥有IGBT的特性，所以罗姆为该产品起名HybroidMOS，混合动力的意思。
      业界最快trr性能的PrestoMOS
      在介绍本次发布会主角之前，罗姆先介绍了MOS有三个最主要的特性，一个是导通电路，第二个是QG参数，这两个参数都是越小产品越节能，第三个特性是体二极管的trr特性，无论怎么开发，MOS都重点要改变这几个特性。
       罗姆第一代PrestoMOS主要改变了体二极管的trr特性。 MOSFET是一个半导体，从ON到OFF的时候会出现一个反向特性。正常来说的话，因为是半导体，有一个反向的恢复时间和反向的恢复电流。反向的恢复时间（trr）乘以反向的恢复电路，这就是开关造成的开关损耗，开关的损耗越小，整体就越节能。罗姆在第一代产品最主要改变了trr的特性。
       PrestoMOS在电路上最大的应用是开关，解决了两个迫切的节能化需求：第一个特性是高速开关，在ON/OFF时能实现很快的切换；第二个特性是，在ON的时候导通电流更小一些，这样使它在ON的时候更节能。

      这张图解释了PrestoMOS在功率器件的位置。功率晶体管里有功率MOS，功率MOS里有超级结MOSFET，超级结里面有PrestoMOS。
      罗姆第二代PrestoMOS产品在提高trr速度的情况下，又改变了MOSFET的两个重要特性。
      第一个，通过PN结构的微细化使开关速度更快一些，罗姆实现了高速开关。
      第二个，把电流浓度变得更高，电流浓度变更高的情况下导通电阻可以降低。首先，把PN结构之间的间距变得更小；其次，把N极的电流浓度变得更大。通过改变了这两个的新的构造，使产品的导通电阻更低，开关速度更快。

从效果上来看，和原有的第一代产品相比，第二代产品的开关速度Qg参数降低了70%，导通电阻降低了40%。体二极管的trr特性降低了20%。
      所以第二代的PrestoMOS产品，是个开关损耗、导通损耗和trr损耗都是很小的产品。
      PrestoMOS的封装有两大类，贴片式和直插式。

      应用领域上，一个是家电的逆变应用，也就是我们说的变频电路上的比较多。中国市场上变频的产品越来越多，包括变频空调、变频冰箱、变频洗衣机；在工业上，包括电机、充电站、充电桩上也会用到很多。PrestoMOS产品将能满足中国市场很大的需求。
高应变能力的设计和生产能力
      所有的半导体元器件产品都会有两个主要工程。一个是生产前工程，一个是生产后工程。
       所有的半导体元器件产品都会有两个主要工程。一个是生产前工程，一个是生产后工程。

       同样的产品为什么在两个或两个以上的地方进行生产呢？看起来很浪费资源。其实这是为了应对在遭遇极端灾害时，仍然能保证为客户稳定供货。
       在2011年3.11日本地震、泰国水灾，2009年经济危机，2011年又出现洪水，在几年内对半导体市场造成沉重冲击，供应链很不稳定。试想泰国水灾时，只在泰国一地工厂生产的产品，给客户的生产带来很大的麻烦。产品生产不出来；生产出来的产品运不出去。
       因为没有替代产品、替代工厂，给客户带来很大的麻烦。在这之后，罗姆为了把风险降到最低，不论任何产品都在两个或两个以上的地方来进行同时生产。无论任何一个地方出现了不可抗拒的事情，罗姆都会在同一时间内，从另外一个工厂生产相同的产品给客户，不会给客户带来生产上的麻烦。