现代电源技术的发展概况：深入了解行业动态和创新方向
2．现代电源技术的发展概况
现代电力电子技术的发展方向，是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学，向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代，并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
2.1整流器时代
大功率的工业用电由工频（50Hz）交流发电机提供，但是大约20%的电能是以直流形式消费的，其中最典型的是电解（有色金属和化工原料需要直流电解）、牵引（电气机车、电传动的内燃机车、地铁机车、城市无轨电车等）和直流传动（轧钢、造纸等）三大领域。大功率硅整流器能够高效率地把工频交流电转变为直流电。因此在六十年代和七十年代，大功率硅整流管和晶闸管的开发与应用得以很大发展。当时国内曾经掀起了一股各地大办硅整流器厂的热潮，目前全国大大小小的制造硅整流器的半导体厂家就是那时的产物。
2.2逆变器时代
七十年代出现了世界范围的能源危机，交流电机变频调速因节能效果显着而迅速发展。变频调速的关键技术是将直流电逆变为0～100Hz的交流电。在七十年代到八十年代，随着变频调速装置的普及，大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管（GTR）和门极可关断晶闸管（GTO）成为当时电力电子器件的主角。类似的应用还包括高压直流输出，静止式无功功率动态补偿等。这时的电力电子技术已经能够实现整流和逆变，但工作频率较低，仅局限在中低频范围内。
2.3变频器时代
进入八十年代，大规模和超大规模集成电路技术的迅猛发展，为现代电力电子技术的发展奠定了基础。将集成电路技术的精细加工技术和高压大电流技术有机结合，出现了一批全新的全控型功率器件。首先是功率MOSFET的问世，导致了中小功率电源向高频化发展，而后绝缘门极双极晶体管（IGBT）的出现，又为大中型功率电源向高频发展带来机遇。MOSFET和IGBT的相继问世，是传统的电力电子向现代电力电子转化的标志。据统计，到1995年底，功率MOSFET和GTR在功率半导体器件市场上已达到平分秋色的地步，而用IGBT代替GTR在电力电子领域已成定论。新型器件的发展不仅为交流电机变频调速提供了较高的频率，使其性能更加完善可靠，而且使现代电子技术不断向高频化发展，为用电设备的高效节材节能，实现小型轻量化，机电一体化和智能化提供了重要的技术基础。
中国上海，2026年6月23日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”，使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。
中国上海，2026年5月19日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出PMIC“BD968xx-C系列”和DrMOS“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、DMS（驾驶员监控系统）和感测摄像头等车载应用的SoC。
中国上海，2025年10月28日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，作为半导体行业引领创新的主要企业，发布基于下一代800 VDC架构的AI数据中心用的先进电源解决方案白皮书。 本白皮书作为2025年6月发布的“罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案”合作新闻中的组成部分，详细阐述了罗姆为AI基础设施中的800 VDC供电系统提供强力支持的理想电源解决方案。 800 VDC架构是高效且可扩展性
中国上海，2025年6月23日——随着人工智能持续重新定义计算的边界，为这些进步提供动力的基础设施也必须同步发展。作为功率半导体技术领域公认的领导者，罗姆很荣幸成为支持英伟达全新800V高压直流（HVDC）架构的主要硅供应商之一。这标志着数据中心设计的关键转变，使兆瓦级人工智能工厂变得更加高效、可扩展和可持续。
戴维宁定理，亦称戴维南定理，是电路理论中的基石之一，由Léon Charles Thévenin于1883年提出。此定理表明，任何含有独立电源和线性电阻的二端网络对外部电路而言，均可被简化为一个等效电压源与串联电阻的组合。等效电压源的值对应于网络开路时的电压，而等效电阻则是网络内所有电源置零后的输入电阻。
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