罗姆诚邀你参加「SiC功率器件活用」微信在线研讨会
新一期的罗姆在线研讨会来了
足不出户带你了解最新的罗姆技术
本次研讨会有啥精彩看点？
大家一起看过来
简介：
与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。罗姆作为SiC功率元器件的领先企业，自上世纪90年代起便着手于SiC功率元器件的量产化，并于2010年全球首家成功实现了SiC-MOSFET的量产。罗姆将不断扩充SiC元器件的量产产品阵容，并积极致力于新产品的开发。
概要：
l SiC和Si功率器件
l SiC功率器件的特征
l SiC功率器件的注意点，可靠性
l SiC功率器件的活用（动作、回路、实验例）
时间：
6月27日 10:00
讲师：
谢健佳：罗姆半导体（深圳）有限公司设计中心 工程师。功率器件专家，罗姆功率器件活用研讨会讲师。多年从事功率器件、特别是SiC功率器件的推广与应用支持工作。拥有丰富的技术支持经验。从2017年起担任罗姆功率器件活用研讨会讲师，在全国范围内成功举办了多场研讨会。希望通过在线研讨会的形式，让更多同行了解SiC的优点和特性，更好地应用SiC功率器件。
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智能功率器件（Smart Power Device）导通电阻与电流检测精度随老化退化，易引发损耗上升与过流误判。本文提出基于在线状态监测的联合评估方法，通过特征提取与数据融合实现早期诊断，解决传统维护滞后痛点。
降压型DC-DC转换器（Buck Converter）的效率受开关、导通与静态损耗共同制约。传统手动环路整定难以兼顾瞬态响应与轻载效率。通过AI辅助环路整定建立损耗模型与多目标优化算法，可实现开关导通损耗与轻载效率协同，解决全负载范围高效运行难题。
快速恢复二极管的反向恢复电荷与散热热阻直接决定开关电源的损耗与结温。针对传统离线测定无法反映器件真实运行状态的痛点，本文提出基于数字孪生的协同在线预测方法。该方法通过运行数据驱动，实现Qrr与Rth的联合实时评估，为功率半导体器件智能运维提供核心技术支撑。
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）是提升电动汽车续航里程的核心器件。针对其在高温工况下导通电阻退化导致电驱动系统（EDU）效率下降的问题，本文系统阐明高温导通电阻退化机理，提出器件工艺优化与系统协同抑制机制，构建可靠性保障体系，为电动汽车高效运行提供技术支撑。
达林顿晶体管（Darlington Transistor）在大电流驱动中面临高饱和压降（Vce(sat)）引发的功耗激增与结温（Tj）超限问题。通过优化基极驱动、匹配低热阻散热路径与实施动态降额，可实现压降与功耗平衡，确保热可靠性。传统设计常忽视压降热失效风险，剖析其平衡机理是功率驱动设计的前提。
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