ROHM开始量产超高性能的650V耐压GaN HEMT
本文转自罗姆官网
引言
随着科技的不断发展，在当下，电源和电机的用电量占全世界用电量的比例已超过一半，为了实现无碳的绿色社会，如何提高它们的效率已经成为了一个全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC（Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。
产品特点
新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.（以下简称“台达电子”）的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.（以下简称“碇基半导体”）联合开发而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指数（RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2）方面，达到了业界超高水平。因此，新产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，新产品还内置ESD*3保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。
购买途径
新产品已于2023年4月起投入量产（样品价格 5,000日元/个，不含税），并已开始网售，通过Ameya360、Sekorm等电商平台均可购买。
总结
ROHM将不断致力于进一步提高器件的性能，同时，除了元器件的开发，ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献更多的力量。
ROHM与Delta Electronics, Inc.（以下简称“台达电子”）的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.（以下简称“碇基半导体”）联合开发而成这款新产品，在650V GaN HEMT的器件性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss*2）方面，达到了业界超高水平。
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