罗姆与纬湃科技签署SiC功率元器件长期供货合作协议

标签:ROHM罗姆SiC
分享到:

SiC(碳化硅)功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. (以下简称“罗姆”)于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技(以下简称“Vitesco”)签署了SiC功率元器件的长期供货合作协议。根据该合作协议,双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。

之所以能达成此次合作,是因为双方已于2020年建立了“电动汽车电力电子技术开发合作伙伴关系”,并基于合作伙伴关系进行了密切的技术合作,开展了适用于电动汽车的SiC功率元器件和采用SiC点点taptap安卓的逆变器产品的开发。

作为双方联合开发的第一个成果,Vitesco计划最早从2024年开始供应采用了罗姆 SiC点点taptap安卓的先进逆变器,目前这种逆变器已被两家大型电动汽车制造商的产品采用,提前实现了当初制定的目标。

在电动汽车逆变器的开发中,SiC功率元器件是非常重要的组成部分,有助于实现更高效的电力电子设计。其中,SiC点点taptap安卓对于电动汽车而言是尤为重要的关键技术,因为电动汽车需要支持高电压,并通过有效利用电能来延长续航里程、缩减电池尺寸。

通过此次建立的长期供货合作伙伴关系,Vitesco将能够确保对电动汽车开发具有战略意义且非常重要的SiC点点taptap安卓的产能。
未来,双方将继续深化合作,通过SiC助力电动汽车进一步提高效率并实现更快的充电速度。

 

纬湃科技 CEO  Andreas Wolf 表示:
“与罗姆的供货合作协议将成为确保Vitesco未来SiC产能的重要基石。我们双方已经通过以往的开发合作积累了很好的经验。我希望双方不仅要继续保持合作,还要进一步加强合作。”

 

ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英(博士) 表示:
“在快速发展的电动汽车市场,SiC功率元器件是实现更高效率的重要技术,罗姆在SiC市场拥有业内先进的开发和制造体系。我相信通过与重要的战略合作伙伴Vitesco建立更深层次的业务合作关系,将有助于罗姆进一步渗透市场,另外,罗姆将有望获得30%以上的市场份额。”

CEO of Vitesco Technologies and CFO of ROHM Co. Ltd.
Vitesco CEO Andreas Wolf (右)
ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 (左)

 

器件虽小,作用尤大
SiC的介电击穿强度是传统Si(硅)的10倍,禁带宽度是Si的3倍,而且拥有更优异的散热特性,因而在显著降低功率损耗、实现应用设备的小型化、以及在高电压和高温环境下稳定驱动方面表现非常出色。
凭借这些特点,与传统的Si相比,使用SiC功率元器件的电力电子设备可进一步减少功率转换过程中的损耗。尤其是在800V这样的高电压条件下,SiC逆变器的效率显著高于Si逆变器。在电动汽车充电应用中,由于电压越高,充满电所需的时间越短,因此全球对SiC产品的需求日益扩大。另外,由于采用SiC产品可以更有效地利用电动汽车电池的电能,因此有助于延长电动汽车的续航里程并缩减电池尺寸。

 

关于纬湃科技
Vitesco是面向可持续出行领域开发和制造先进驱动系统的全球知名制造商。通过为电动、混合动力和内燃驱动系统提供智能的系统解决方案和零部件,助力打造更环保、更高效、更经济的出行方式。其产品组合包括电力驱动装置、电子控制单元、传感器、执行器和尾气后处理解决方案。另外,Vitesco在2022年的销售额达到约90.7亿欧元,在全球拥有50个基地,员工人数38,000名左右。Vitesco的总部位于德国雷根斯堡。

 

本文来自罗姆官网

相关资讯
智能功率器件导通电阻与电流检测精度退化诊断与在线状态监测

智能功率器件(Smart Power Device)导通电阻与电流检测精度随老化退化,易引发损耗上升与过流误判。本文提出基于在线状态监测的联合评估方法,通过特征提取与数据融合实现早期诊断,解决传统维护滞后痛点。

降压型DC-DC转换器:AI辅助环路整定与轻载效率协同优化

降压型DC-DC转换器(Buck Converter)的效率受开关、导通与静态损耗共同制约。传统手动环路整定难以兼顾瞬态响应与轻载效率。通过AI辅助环路整定建立损耗模型与多目标优化算法,可实现开关导通损耗与轻载效率协同,解决全负载范围高效运行难题。

快速恢复二极管数字孪生:反向恢复电荷与热阻协同在线预测

快速恢复二极管的反向恢复电荷与散热热阻直接决定开关电源的损耗与结温。针对传统离线测定无法反映器件真实运行状态的痛点,本文提出基于数字孪生的协同在线预测方法。该方法通过运行数据驱动,实现Qrr与Rth的联合实时评估,为功率半导体器件智能运维提供核心技术支撑。

SiC MOSFET高温导通电阻退化机理与抑制机制:提升电动汽车续航

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)是提升电动汽车续航里程的核心器件。针对其在高温工况下导通电阻退化导致电驱动系统(EDU)效率下降的问题,本文系统阐明高温导通电阻退化机理,提出器件工艺优化与系统协同抑制机制,构建可靠性保障体系,为电动汽车高效运行提供技术支撑。

达林顿晶体管饱和压降与功耗平衡:大电流负载热设计解析

达林顿晶体管(Darlington Transistor)在大电流驱动中面临高饱和压降(Vce(sat))引发的功耗激增与结温(Tj)超限问题。通过优化基极驱动、匹配低热阻散热路径与实施动态降额,可实现压降与功耗平衡,确保热可靠性。传统设计常忽视压降热失效风险,剖析其平衡机理是功率驱动设计的前提。

精彩活动

Baidu
map