氮化镓晶体管结构：高效能，低损耗新选择

中国上海，2025年9月11日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，将于9月24日～26日参加上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（以下简称PCIM Asia Shanghai）。届时，罗姆将展示其在工业设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时，罗姆还将在现场举办技术研讨会，分享其最新的电力电子解决方案。

总部位于日本京都市的全球知名半导体制造商 ROHM，已将 TOLL 封装的 650V 耐压 GaN HEMT “GNP2070TD-Z” 投入量产。TOLL 封装因体积小、散热佳、电流容量与开关特性优异，在工业、车载等大功率应用领域应用渐广。此次 ROHM 将封装工序外包给了在半导体后道工序领域业绩丰富的日月新半导体（威海）有限公司（ATX）。

氮化镓晶体管作为高性能半导体元件，在高速运算、高频电子器件等领域具有广泛应用前景。然而，其设计和制造过程对精确模型的需求高，受强自热效应、陷阱效应和非线性特性影响，建模难度增大。散热问题也不容忽视，需充分考虑并采取合适散热措施。可靠性问题是一大挑战，尤其在基站等严苛场景中，需确保长时间稳定运行。

氮化镓晶体管以其高电子饱和迁移率、高热导率和宽禁带等特性，在无线通信、国防工业及自动驾驶等领域展现出广泛且关键的应用。在无线通信中，氮化镓晶体管在射频和微波频率下性能卓越，尤其在5G和IoT领域不可或缺。在国防工业中，其大功率、小体积和高效热管理特点受到青睐。在自动驾驶领域，氮化镓晶体管为LiDAR系统提供优越性能，推动自动驾驶汽车发展。

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在电力电子设计中展现出巨大潜力，其基于AlGaN和GaN交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）实现高效导电。与硅基晶体管相比，GaN HEMT不受少数载流子复合影响，具有更高效率和性能。尽管氮化镓晶体管通常为常开器件，但通过策略如级联结构或添加P型氮化镓，可实现增强型（常闭）晶体管。