从材料到结构：解锁SBD和FRD卓越性能的密钥
SBD（肖特基二极管）和FRD（快速恢复二极管）的性能与其所使用的材料和结构设计密切相关。对于SBD，选择和优化材料属性以降低导通电压、优化单边空间电荷区域设计以降低PN结电容，以及严格控制制备过程中的参数和选择合适的工艺流程，都是提升其高频应用性能的关键。
我们都了解肖特基二极管（SBD）的特性是快速的，因为它的PN结只有一边是硅(Si)，另一边是金属，所以它处于单边耗尽区，从而具备快速响应的特点。近来汽车电子领域十分热门，IGBT被广泛讨论，而与之相关的“伴侣”点点taptap安卓是FRD（快恢复二极管），旨在提高IGBT的恢复时间(Trr)。那么FRD与SBD相比，它们的快速特性有何差异？如何进行选择？
RGWxx65C系列是使用低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）作为IGBT续流二极管的Hybrid型IGBT，与使用快速恢复二极管（FRD）的IGBT相比，可以显著降低损耗。该系列产品非常适用于电气化车辆（xEV）中的车载充电器和DC/DC转换器、太阳能发电用的功率调节器和工业逆变器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。
Rohm宣布提供200 V超低IR肖特基势垒二极管(SBD)，为包括动力系统和xEV在内的汽车应用进行优化。RBxx8BM/NS 200扩展了RBxx8系列的SBDS，使高温操作已经在日本的汽车市场上得到证实。这种新的系列提供超低泄漏电流(IR)特性，以实现高耐压200 V。
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。我们就SCS3系列的特点、应用范围展望等，采访了负责开发的ROHM株式会社 功率元器件制造部 千贺 景先生。
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