罗姆加强GaN功率器件供应能力
中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。
GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等高电压领域的应用也日益广泛，预计未来需求还将持续扩大。
罗姆很早就开始着手开发GaN功率器件，并于2022年3月在罗姆滨松工厂建立了150V GaN的量产体系。在中等功率领域，罗姆在积极开展外部合作的同时不断完善供应体系。其中，台积公司是罗姆非常重要的合作伙伴之一，自2023年起，罗姆就采用了台积公司的650V GaN工艺，双方还于2024年12月缔结了关于车载GaN的合作伙伴关系，并一直在不断深化合作关系。
本次技术融合正是双方合作伙伴关系进一步深化的印证，在签订授权合同后，台积公司的工艺技术将转移给罗姆滨松工厂。罗姆计划在2027年内建立起相应的生产体系，以应对AI服务器等领域不断扩大的需求。
随着技术转移的完成，双方关于车载GaN的合作伙伴关系将告一段落，但双方还将继续加强合作，共同致力于推动电源系统的效率提升和小型化。
文章转自罗姆官网
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）兼具高压耐受与高频开关能力，是高效功率转换核心器件。其高压耐受依赖漂移层设计，高频开关源于高电子迁移率。二者结合打破传统硅（Si）器件性能边界，显著提升功率密度与转换效率。
氮化镓（Gallium Nitride,GaN）功率器件在高频开关电源与车载电力电子系统中应用广泛，但超快开关特性会放大共源寄生电感的负面影响，导致栅极震荡与误开通。采用GaN专用集成栅极驱动器架构，可从源头压缩驱动回路面积并隔离功率地，有效抑制共源电感干扰，保障兆赫兹级高频工况下的长期运行可靠性。
氮化镓（GaN）功率器件具备极低结电容与超高开关速度，是高频高压电源与新能源变换的核心。由于GaN器件栅极阈值电压低且抗干扰余量小，易受高压共模干扰影响引发误导通或栅极击穿，必须采用隔离式栅极驱动器实现强弱电电气隔离。
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）凭借高压耐受与高频快速开关特性，突破了传统硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的物理极限，成为第三代宽禁带核心功率器件。当前工程应用多单一利用其高频特性，未深度挖掘高压与高频的协同赋能价值。本文系统剖析GaN HEMT两类核心性能的耦合机制，解析其在高压高频工况下的系统级应用价值。
GaN HEMT 的异质结二维电子气导电机制赋予其超快开关与低导通损耗优势，但沟道温度对导通电阻的热电正反馈调制，与高频高压下开关速度、可靠性的固有制衡相互耦合，形成多维复合劣化闭环，亟须摒弃单一优化思维，依托结温动态调速与热电协同抑制，实现能效与可靠性的全域平衡。
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