Rohm的新型预置MOS™系列600 V超级结MOSFET提高了交流系统中逆变器的节能效果

发布时间：2019-04-16

来源：罗姆半导体社区 (https://rohm.eefocus.com)

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Rohm最近宣布了一个新的阵容，它的PrestoMOS™系列，R60xJNx系列，600 V超级结MOSFET，其中包括30个新型号。这个系列增加了设计的灵活性，同时保持行业最快的反向恢复时间(TRR)，为电动汽车充电站和家用电器(如冰箱和空调机(ACS)的电机驱动优化。

报告显示，全球总电力需求的近50%用于驱动电动机，随着电器在新兴国家和发展中国家的继续普及，这一比例预计只会增加。IGBT通常用作逆变器的开关元件，用于驱动诸如冰箱和ACS等家用电器中的电动机。最近提高能源节约的趋势推动了各种应用对MOSFET的需求，在稳态运行期间降低了功耗。

为了满足这一需求，ROHM公司于2012年推出了PrestoMOS™系列功率MOSFET。本系列具有行业最快的反向回收特性，实现了较低的功耗。与我们的传统产品一样，这个新的系列利用我们专有的寿命控制技术来实现超快的TRR。与IGBT的实现相比，这使得轻载时的功率损失减少了约58%。另外，提高启动MOSFET所需的参考电压可以防止自导通，这是造成损耗的主要原因之一。此外，优化内置二极管的特性使我们能够提高超级结MOSFET特有的软恢复指数，从而降低可能导致故障的噪声。消除这些障碍的电路优化为客户提供了更大的设计灵活性。

什么是PrestoMOS™？
普雷斯托(Presto)是一个意为“非常快”的意大利音乐术语。MOSFET在相对较低的电流条件下具有开关速度快、导通损耗低等优点。例如，在空调的情况下，它们比IGBT更有效地降低在稳态运行期间的功耗。

*PrestoMOS是ROHM的商标

提高设计灵活性的关键

开关速度的提高、自开启和噪声的产生是相互矛盾的现象，使得用户在电路设计中必须通过调整栅极电阻等因素来优化电路。与一般用途的MOSFET不同，ROHM的R60xxJNx系列采用防噪音和自开启的措施，为客户提供了很大的设计自由度。

1。实施自启动对策尽量减少损失
优化MOSFET结构中固有的寄生电容可以使我们在开关过程中降低非预期的栅极电压20%。此外，这种特殊的设计使得通过将打开MOSFET所需的阈值电压(Vth)提高1.5倍，很难实现自开启。这扩大了由于栅极电阻和客户实施的其他因素造成的损失调整范围。

2。改善恢复特性降低噪音
一般情况下，超级结MOSFET内部二极管的恢复特性表现为很难恢复。然而，通过优化内部结构，ROHM的R60xxJNx系列能够比传统产品提高30%的软回收指数，并在保持行业最快的反向恢复时间(TRR)的同时成功地降低噪音。这使得用户很容易调整噪音(即由于栅极电阻)。

阵容

包裹		调至-252 DPAK [SC-63]	调至-263 LPT(S)D2PAK [SC-83]	至220调频	到-3 PF	调至-247
包裹
罗恩·蒂普(mΩ)	1100	R6004JND3新的	R6004JNJ新的	R6004JNX新的
	720	R6006JND3新的	R6006JNJ新的	R6006JNX*
	600	R6007JND3新的	R6007JNJ新的	R6007JNX新的
	450	R6009JND3新的	R6009JNJ新的	R6009JNX新的
	350		R 6012 JNJ新的	R6012 JNX*
	220		R6018JNJ新的	R6018JNX新的
	180		R6020JNJ新的	R6020JNX新的	R 6020 JNZ新的	R6020JNZ4新的
	140			R6025JNX新的	R 6025 JNZ新的	R 6025JNZ4新的
	110			R6030JNX*	R 6030 JNZ新的	R 6030JNZ4新的
	90					R6042JNZ4新的
	64				R 6050 JNZ*	R6050JNZ4*
	45					R6070JNZ4*

*发展中

应用

ACS、冰箱和工业设备(即充电站)