Rohm半导体：新的功率器件
PCIM是德国纽伦堡电力电子、智能运动和能源管理领域的领先展会(2019年5月7日至9日)，ROHM Semiconductor将在会上展示专注于电子移动和电源应用的电力半导体解决方案。
在各种系统中，选择合适的电源设备对节能降耗和降低系统成本有着重要的影响。通过集团广泛的研究和设计活动，ROHM不仅能够为客户提供一系列高效、紧凑的应用产品，而且能够为power tree提供完整的解决方案。
在9号展厅的ROHM展位上，你会发现312个亮点:
汽车级碳化硅mosfet
ROHM最近宣布在其产品线中扩展新的汽车级SiC mosfts，即SCT3xxxxxHR系列。该系列已使该公司实现行业最大的阵容AEC-Q101合格碳化硅mosfet，提供高可靠性所需的汽车车载充电器和DC/DC转换器。
碳化硅mosfet栅驱动器
新的系列隔离栅驱动电路的功率mosfts将扩大ROHM目前的产品组合，提供新的解决方案，以增加灵活性，并改善工业和汽车电力系统的设计。该系列有一个3,75kv隔离，AEC-Q100门驱动装置专门设计驱动碳化硅功率mosfet。它有一个内置的主动米勒夹具，以防止寄生打开的影响，并集成了一个欠压锁定(UVLO)优化驱动ROHM的碳化硅MOSFET。这些功能提高了系统的可靠性。
1700v /250A全SiC电源模块
ROHM 1700 v /250A全SiC电源模块具有行业最高的高温高湿可靠性标准。与硅解决方案相比，它具有更好的开关特性，使散热器和周围组件在应用中小型化。
新的Presto MOS系列
发布了一种新型的JN系列600V超结MOSFET，其本体二极管采用快速恢复二极管(FRD)。JN系列MOSFET是一种用于逆变器/变换器应用的优化MOSFET, FRD的软恢复特性和优化的寄生电容有助于降低噪声和防止桥拓扑中的自激问题。ROHM提供了JN系列的各种包和广泛的RDS(on)变种。
汽车IGBT
ROHM的RGS系列是汽车级配开关IGBT，对短路故障具有很强的鲁棒性。该系列获得两种collector-emitter - 650 v电压保证8µs短路承受1200 v和10µs短路承受时间。可根据电动汽车的电池电压进行选择。RGS系列适用于汽车电子压缩机和PTC加热器的应用。
电源管理集成电路
基于对分立电源设备的长期经验，ROHM Semiconductor还为汽车、工业和消费市场提供了一系列SoC和应用电源管理ic。广泛的产品组合还包括孤立的DCDC调节器以及优化的ACDC转换器，允许建立基于SiC技术的高效电源。此外，ROHM继续扩大技术边界与新的创新概念，如快速巴克升压转换器或ROHM的新纳米脉冲控制tm技术。
中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS®*开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。
氮化镓（GaN）器件凭借高频、高效优势在电力电子领域广泛应用，但其性能发挥高度依赖高可靠性栅极驱动器。针对GaN低阈值电压、高开关速度特性，驱动器需集成过流、过压、欠压及过热多重保护电路。
碳化硅功率器件作为电力电子领域的新兴关键技术，是基于宽禁带半导体材料碳化硅制成。其凭借高击穿电场、高热导率、高电子饱和速度等特性，展现出高效能量转换、高开关速度、高温稳定等显著优点。目前已在电动汽车、可再生能源、工业电源、航空航天等多领域广泛应用，未来随着技术发展，应用还将进一步拓展，助力环保与可持续发展。
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）凭借其卓越的高频性能、低开关损耗和高功率密度，在多个前沿技术领域展示出巨大的潜力。与硅和碳化硅相比，GaN在射频通信、5G基站及电源转换器等应用中具有显著优势。本文探讨了GaN HEMT的工作原理、关键特性及应用场景，并与SiC MOSFET进行了对比分析，阐述了GaN HEMT的优势与面临的挑战。
碳化硅功率器件以其高频、高压和低损耗的特点，在电力电子领域展现出巨大潜力。研究表明，碳化硅MOSFET和JFET在相同驱动条件下比IGBT显著降低开关损耗，提升效率。然而，高制造成本和驱动设计优化仍是技术普及的挑战，未来通过技术突破和规模化生产有望进一步推动其广泛应用。
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