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2023-03-22
[文章]
氮化镓仍需突破层层关卡以拓宽应用领域
2023-03-09
[文章]
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
2022-04-14
[文章]
ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
2021-12-23
[文章]
如何使用氮化镓(GaN)提高电源效率
2020-03-26
[文章]
GaN(氮化镓)消费级电源时代要来了
2020-02-29
[文章]
宽禁带半导体材料——碳化硅的力量
2020-01-20
[文章]
“第三代半导体材料”——氮化镓晶片
2019-12-29
[文章]
针对功率转换,SiC和GaN的未来展望
2019-10-30
[文章]
异军突起的第三代半导体材料为何方神圣?
2019-09-27
[文章]
摩尔定律快速失效的今天,SiC能否就此起飞?
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