新品介绍

超低静态电流技术“Nano Energy™”更大限度地减少了超轻负载时的电流消耗以及降低电流消耗时发生的折中，从而产生纳安 (nA) 级的静态电流，这将有助于延长移动设备的驱动时间。详情请戳：https://url.eefocus.com/2cxg（复制链接至浏览器即可查看）

超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”实现了纳秒 (ns) 级的开关导通时间的电路控制。以往必须使用 2 个以上的电源 IC 才能进行从高电压向低电压的电压转换，现在只需要“1 个电源 IC”即可实现！详情请戳：https://url.eefocus.com/2cxg（复制链接至浏览器即可查看）

近年来，在VR/AR设备和生物感测设备等领域，对使用了近红外（NIR）的先进感测技术的需求不断增加。由于这些技术用于眼动追踪、虹膜识别、血流量和血氧饱和度测量等应用，因此对精度的要求非常高。另外，应用产品的小型化、低功耗化以及设计灵活性的提升也备受重视。此外，在工业设备领域，随着精密打印机控制和自动化系统的发展，近红外LED的作用日益重要。今年，罗姆推出的小型顶部发光型表贴近红外 (NIR) LED新产品，非常适用于VR/AR设备、工业光学传感器、人体感应传感器等应用。此外，罗姆还可提供接收NIR用的“光电晶体管”。了解更多详情请戳：https://url.eefocus.com/3ufq（复制链接至浏览器即可查看）

罗姆最新推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV车载充电器的PFC和LLC转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。了解更多详情，请点击：https://url.eefocus.com/3r2p（复制链接至浏览器即可查看）

近年来，为缩短充电时间，智能手机等配备大容量电池的小型设备中，配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外，为了在快速充电时支持大电流，智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求，如最大电流为20A、击穿电压为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而，普通MOSFET产品若要满足这些要求，就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET，而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题，罗姆开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”，非常适用于大功率快速充电应用。了解更多详情，请点击：https://url.eefocus.com/3r2q（复制链接至浏览器即可查看）