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焊点空洞成因深度解析：傲牛SAC305锡膏的空洞抑制方案

焊点空洞作为功率器件封装焊接中的典型缺陷，其存在会显著降低焊点导热导电性能，加剧热应力集中，最终影响器件长期可靠性。在实际工程应用中，空洞率超标是导致产品可靠性测试失效的核心诱因之一。本文将从锡膏配方、焊接工艺两大维度，系统拆解空洞形成的核心成因，并详细阐述傲牛科技带空洞抑制剂SAC305锡膏的技术原理与应用优势。一、焊点空洞的核心成因：气体残留的“生成-逸出”失衡焊点空洞的本质是焊接过程中产

傲牛科技

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2025/12/11

汽车电子锡膏

CGD發佈突破性100kW+技術，推動氮化鎵（GaN）進軍超100億美元電動汽車逆變器市場

無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公佈了關於ICeGaN® GaN 技術解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，這一市場規模預計超過100億美元。Combo ICeGaN®通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

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2025/03/12

SiC GaN

CGD發佈突破性100kW+技術，推動氮化鎵（GaN）進軍超100億美元電動汽車逆變器市場

英飞凌IGBT7系列点点taptap安卓大解析

上回书说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT点点taptap安卓的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。

英飞凌

2201

2025/01/16

英飞凌 IGBT

功率器件，2024年的机会在哪里？

2023年对整个半导体产业来说并不轻松。根据WSTS的数据，2023年半导体元器件行业市场规模为5201亿美元，下跌9.4%，在所有元器件细分品类中，以功率器件为代表的分立器件是去年唯一正增长的，全年预计增长5.8%。作为电能转化和电路控制的核心器件，功率器件下游应用十分广泛，按照下游应用划分，汽车领域占比达40%，其次是工业占比27%，消费电子占13%，其他领域（如通讯、计算机等领域）占20%