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ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃
中国上海，2025年6月10日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。
硅电容 VS MLCC，高性能电容的核心优势
硅电容基于半导体工艺，借硅材料特性实现电荷存储，具高精度、低ESR等优势；MLCC采用叠层工艺，靠陶瓷介质极化工作，电容值范围广。二者因结构与原理差异，在电气性能、应用场景上各展所长，推动电子系统发展。
SiC MOSFET 在电动汽车中的关键作用与发展
在电动汽车技术革新中，SiC MOSFET凭借碳化硅材料禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度快的特性，在车载充电、电机控制等功率转换系统中，通过栅极电压控制实现高效能工作，为电动汽车发展提供核心技术支撑。
IGBT：电力电子 “CPU”，如何驱动多领域变革？
IGBT作为电力电子“CPU”，融合MOSFET高输入阻抗与BJT低导通压降优势，通过栅极电压控制导通关断实现高速开关。历经技术演进，在新能源汽车、发电及工业控制等领域，凭其性能推动多领域电力转换与控制变革。
SiC MOSFET在光伏领域的创新应用与突破
SiC MOSFET凭借宽禁带、高击穿电场强度和高热导率等特性，在光伏领域带来创新突破。在光伏逆变器中，其高耐压、低导通电阻和低开关损耗特性提升系统效率，简化结构；在DC-DC转换器里，提升功率密度与转换效率；在储能系统中，降低充放电损耗，延长电池寿命。
降压、升压还是升降压？DC-DC转换器类型大揭秘
DC-DC转换器是电源管理核心组件，降压转换器将高电压转为低电压，通过开关导通与关断控制输出；升压转换器将低电压转为高电压，利用电感储能与释放实现升压，输入电流连续；升降压转换器兼具降压与升压功能，适应输入电压波动大场景，但电路复杂、效率稍低。
不同工艺线性稳压器性能对比：硅基、碳化硅材料的优劣势分析
线性稳压器是电源管理关键组件，硅基与碳化硅材料性能差异显著。硅基材料禁带宽度低、迁移率高，制造工艺成熟、成本低，适用于低电压低功率场景；碳化硅为宽禁带半导体，击穿电压高、热导率高，耐高温、大电流性能好，但制备复杂、成本高，适用于高压高功率领域。
剖析栅极驱动器的隔离技术：光耦、变压器与容隔
栅极驱动器隔离技术有光耦、变压器和容隔三种。光耦以光为媒介，实现电信号的传输与电气隔离，隔离性能好，但存在延迟和带宽窄等问题。变压器利用电磁感应，信号传输速度快、带宽宽，不过体积大、成本高且有电磁干扰。容隔基于电容电场耦合，传输速度快、体积小，但信号易衰减且受环境影响。
车载无线LSI如何重塑智能驾驶的连接体验？
车载无线LSI凭借其高度集成的无线通信模块、信号处理单元和控制逻辑，采用先进射频技术与数字信号处理算法，实现复杂电磁环境下的高速稳定数据传输，支持多种通信协议，正重塑智能驾驶连接体验。
功率与效率的博弈：车载MOSFET在汽车电子中的关键作用
在汽车产业智能化、电动化转型中，车载MOSFET作为汽车电子电路核心器件，其基于电场效应的“开—关”控制模式，实现电能精确分配与转换。通过器件结构设计、驱动电路优化、材料革新等多维度技术手段，不断在功率与效率间寻求平衡，推动汽车电子技术进步。
新型拓扑结构如何重塑AC/DC转换器格局
新型拓扑结构通过优化电路设计与控制策略，有效提升AC/DC转换器功率密度，降低损耗。如图腾柱无桥PFC减少器件数量与导通损耗，LLC谐振拓扑实现软开关降低开关损耗，多电平拓扑降低开关管电压应力，减少输出滤波器体积。
从传感器信号放大到电源管理：运算放大器在工业控制中的应用
运算放大器凭借高增益等特性，成为工业控制核心器件。在信号处理中，通过构建不同电路实现传感器微弱信号放大、滤波调理及稳定传输；于电源管理中，参与线性稳压、开关电源反馈及电流检测控制，保障工业控制系统精准稳定运行。
从性能优势看SiC MOSFET对超结MOSFET的替代趋势
超结MOSFET通过P-N柱交替布局优化电场分布，缓解硅基器件电阻与耐压矛盾，但制造复杂、高温性能差且高频开关损耗大。SiC MOSFET凭借碳化硅宽禁带材料10倍于硅的击穿场强、3-4倍热导率，在高压应用、散热及高频场景优势显著，正加速替代超结MOSFET。
GaN HEMT 引领电机设计进入宽禁带半导体的黄金时代
GaN HEMT凭借氮化镓宽禁带、高电子饱和漂移速度及低导通电阻特性，在电机驱动中降低开关损耗、提升工作频率；于电源管理环节提高转换效率；还能简化散热设计，助力系统集成，全方位革新电机设计。
从击穿特性到防护实效：TVS二极管如何防护ESD
TVS二极管凭借半导体PN结击穿特性，在ESD防护中发挥关键作用。正常工作时PN结高阻，遇ESD事件触发雪崩或齐纳击穿，瞬间切换至低阻态，钳位过电压。其峰值脉冲功率、反向断态电压、正向导通电压等性能参数，决定防护能力。
从燃油到电动，车载MOSFET为汽车动力系统“保驾护航”
在汽车从燃油向电动的动力系统变革中，车载MOSFET至关重要。其在燃油车中精准控制喷油、点火等系统；于电动车“三电系统”及充电系统，通过调节电流电压、实现交直流转换等，以高开关速度和低导通电阻保障系统高效运行。
IGBT-IPM核心性能优化：开关损耗、散热与驱动电路的协同增效
IGBT-IPM 在电力电子系统中占据核心地位，其性能优化依赖开关损耗、散热与驱动电路协同。开关损耗通过结构创新和封装优化降低；散热借助高导热材料与先进技术保障；驱动电路合理设计确保稳定运行，三者相互配合提升整体性能。
便携式设备中的DC-DC转换器IC：微型化与高性能的融合
在便携式设备中，DC-DC转换器IC通过开关特性实现电压转换，其降压、升压、升降压拓扑满足不同组件需求。其高性能体现在高效率、低噪声和高动态响应，同步整流、软开关提高效率，优化设计、屏蔽等降低噪声，先进算法和反馈电路提升动态响应。
SiC肖特基二极管：宽禁带材料驱动电力转换技术革新
SiC肖特基二极管工作机制源于金属与SiC半导体接触形成的肖特基势垒，正向偏压时电子通过热电子发射与隧穿效应导通，反向偏压时高临界电场强度维持高阻断电压，且无少数载流子注入引发的电荷存储效应，反向恢复时间近乎为零，大幅降低开关损耗。
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
中国上海，2025年6月3日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。
AC/DC转换器工作原理深度剖析：从整流到稳压的全流程解析
AC/DC转换器将交流电转换为直流电，其工作原理涵盖整流、滤波和稳压三大环节。整流利用半导体器件单向导电性，将交流电压转为单向直流电压；滤波借助电容、电感储能特性，平滑脉动直流电压；稳压通过线性或开关稳压方式，确保输出电压恒定。
步进电机驱动器：精密运动控制的核心动力
步进电机驱动器是精密运动控制核心，基于步进电机电脉冲转角位移原理，将脉冲信号转化为驱动电流，精准调控电机转速、扭矩和位置。其由电源、控制、驱动、保护电路构成，采用恒流控制技术，通过电流反馈与算法抑制波动，保障稳定运行。
内置绝缘元件的小型栅极驱动器如何赋能新能源设备？
内置绝缘元件的小型栅极驱动器融合材料科学、微纳制造与系统集成创新，采用系统级封装技术压缩体积，新型纳米复合绝缘材料提升绝缘性能，微纳加工技术优化绝缘层精度，构建多层级抗干扰体系，优化电磁兼容性，推动新能源设备性能提升与小型化发展。
新能源汽车功率革命：GaN HEMT技术的核心作用
GaN HEMT 凭宽禁带与异质结极化效应，形成高迁移率 2DEG 通道，具低导阻与高耐压性。其高频开关特性提升新能源汽车驱动效率、缩小充电模块体积，在辅助系统亦显潜力，现正突破可靠性等挑战。
低功耗CMOS比较器在便携式设备中的关键作用
低功耗CMOS比较器在便携式设备中发挥关键作用。基于CMOS工艺，其由输入级、中间放大级和输出级组成，通过亚阈值设计、动态阈值电压调整等技术降低功耗，广泛应用于电池管理、数据采集和医疗设备等领域。
三相无刷电机驱动器：现代工业智能化转型的核心动力
三相无刷电机驱动器基于电子换向技术，通过位置传感器反馈信号，利用IGBT、MOSFET等功率器件组成的逆变电路，将直流电转换为三相交流电，实现对电机转速、转矩和转向的精确控制，还采用矢量控制和直接转矩控制等先进策略，提升控制精度和动态响应速度。
探索光学传感器：原理、优势与多领域的深度应用
光学传感器基于光与物质相互作用原理，涵盖光发射、传输、接收及信号转换处理等环节。其高灵敏度源于光的高频和丰富光谱信息，非接触测量优势使其适用于恶劣环境，响应速度快、抗电磁干扰能力强。
智能功率新宠IPD：工业与汽车领域的电机控制变革者
IPD是将功率半导体器件与控制、驱动、保护电路等高度集成的复合型器件。它通过先进半导体制造与封装技术，实现器件间深度融合与协同工作，减少元件数量与布线长度，降低寄生参数影响，提升系统性能与可靠性。
推动汽车电子功率器件变革的车载MOSFET
车载MOSFET是基于半导体表面场效应原理的电压控制型器件，栅极施加电压形成反型层导电沟道实现电流导通。其多数载流子导电特性带来高输入阻抗、快速开关速度和低导通电阻等优势，满足汽车电子系统功率控制严苛要求。
升压型DC-DC转换器核心原理详解：从拓扑结构到工作机制
升压型DC-DC转换器基于电磁感应与开关特性，由电源、电感等组成，经开关器件通断实现升压。工作分两阶段，通过改变导通时间比例调压。电流模式控制优于电压模式，优化效率需降损、调策略，还需处理高频EMI问题。
高频电源领域：SiC肖特基二极管为何逐渐取代Si器件？
碳化硅（SiC）肖特基二极管凭借其卓越的材料特性与性能优势，正逐步取代传统硅（Si）器件。SiC的高禁带宽度、高击穿电场强度及高热导率，使其在耐高压、耐高温和散热性能上远超Si材料。
热敏打印头：数字化时代的关键打印部件
热敏打印头工作原理基于热敏打印技术，通过加热元件对热敏纸加热，使涂层发生化学反应显现文字图像。它由加热元件、驱动点点taptap安卓、逻辑控制电路等构成，协同工作实现快速、高分辨率打印，且可通过温度监测与控制保证打印稳定性。
为什么说氮化镓（GaN）正在重塑AC/DC转换器的未来？
氮化镓（GaN）凭借其高禁带宽度、高电子迁移率等优异性能，正在重塑AC/DC转换器的未来。其低导通电阻和快速开关特性显著提高转换效率，实现小型化设计与高功率密度，广泛应用于消费电子、通信等领域。
肖特基二极管VS快恢复二极管：从结构到性能的深度解析
肖特基二极管与快恢复二极管在结构与性能上差异显著。肖特基二极管基于金属-半导体接触，反向恢复时间短，正向压降低，适用于高频整流；快恢复二极管基于PN结，反向恢复时间长，正向压降高，适合中低频、高电压大电流场景。二者功率处理能力和温度特性也各有特点，需根据应用需求合理选择。
汽车电子领域中GaN HEMT的高功率密度应用
在汽车电子领域，GaN HEMT凭借其宽禁带半导体材料的高禁带宽度、高击穿电场强度和高电子迁移率等特性，展现出卓越的高功率密度性能。其低导通电阻和快速开关速度显著降低损耗，提升系统效率，适用于电动汽车动力系统、车载充电和辅助电源等场景，推动汽车电子技术革新。
SiC MOSFET：突破传统束缚，引领功率器件新时代
SiC MOSFET凭借碳化硅材料的宽带隙、高击穿电场强度、高热导率等特性，在器件结构和性能上实现突破，相比硅基器件，其导通电阻大幅降低，散热能力更强，工作温度范围更广，可靠性与稳定性更高，为新能源汽车、可再生能源发电等领域带来显著优势。
运算放大器原理探究：从类型划分到应用特性
运算放大器作为电子系统核心元件，其原理与应用特性紧密相连。双极型与CMOS型运放各有特点，前者高增益低噪声但功耗高、输入阻抗低，后者输入阻抗高、功耗低且集成度高。其应用特性受电源模式、性能参数等影响。
从天线革新到系统微型化：无线供电如何成为可穿戴设备的‘隐形能源’？
无线供电技术凭借无需物理连接传输能量的特性，正成为可穿戴设备的“隐形能源”。其基于近场感应和远场辐射两种技术路径实现能量传输，近场感应依靠电磁感应原理，通过优化天线材料和结构提升效率；远场辐射利用电磁波辐射特性，借助相控阵天线等技术提高传输效率和方向性。
从原理到应用：IGBT如何重塑高功率电子设备的能效边界？
IGBT融合BJT与MOSFET优势，具四层半导体结构，栅极控导通关断，输入阻抗高、开关频率高、导通损耗低。其从平面栅到沟槽型电场截止型不断演进，凭低开关与导通损耗、热稳定性重塑高功率设备能效边界。
升压VS降压：LED驱动器两种拓扑结构的性能对比
LED驱动器中，Boost（升压）借电感储能释能，使输出电压高于输入，适用于低输入场景；Buck（降压）利用电感充放电，输出电压低于输入，适合高输入情况。二者在效率、纹波等性能上因原理差异各有优劣。
