马自达与罗姆开始联合开发采用下一代半导体的汽车零部件
Mazda Motor Corporation（以下简称“马自达”）与ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓（GaN）功率半导体的汽车零部件。
（左）马自达董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎／（右）罗姆董事、专务执行官 东克己
Mazda Motor Corporation（以下简称“马自达”）与ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓（GaN）功率半导体的汽车零部件。双方自 2022 年合作开发碳化硅逆变器后再携手，借助 GaN 低损耗、可高频驱动、利于产品小型化的优势，计划 2025 年将成果在 Demo 车试验，2027 年投入实际应用，助力电动汽车技术创新与可持续出行发展。
导读：当前，半导体材料已经发展到第三代，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料在军用、民用领域都有重要的潜力和价值，是各国在未来科技发展的战略性布局之一。
微型LED显示器市场的复合年增长率从2018年的2.72亿美元增长到2025年的211.29亿美元，增长率为86.4％。
新兴市场碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元，推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器等方面的需求。
由于第三代半导体材料及其制作的各种器件的优越性、实用性和战略性，未来，由SiC和GaN材料制成的半导体功率器件将支撑起当今节能技术的发展趋势，成为节能设备最核心的器件，许多发达国家已将第三代半导体材料列入国家计划，全面部署，竭力抢占战略制高点
