ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管


| 产品型号 | 数据表 |
绝对最大额定值 (除非另有指定,Tc=25℃) |
电气特性 (Tj=25℃) |
封装 [mm] |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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VRM [V] |
VR [V] |
IO [A] 60Hz Tc=120℃ |
IFSM [A] 60Hz 1周期 |
Tj (Max) [℃] |
VF (Max) [mV] IF=7.5mA |
IR (Max) [μA] VR=3V |
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RBE01VYM6AFH |
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6 | 6 | 0.1 | 1 | 125 | 200 | 30 |
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中国上海,2025年10月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”,该产品在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡,可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用,提供高可靠性的保护解决方案。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。
在SiC器件开发初始阶段的本世纪初,基于SiC的肖特基二极管(SBD)就已经出现,目前SiC SBD广泛用在单相开关电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)级中,它具有非常低的反向恢复电荷,可明显降低二极管本身和对应开关器件的动态损耗。随着技术的进一步发展,光伏逆变器和不间断电源(UPS)等应用中也采用了SiC SBD。
虽然二极管是一个简单器件,但它却有许多值得考虑的特性。这些特性通常取决于应用,其中一些应用包括:整流器、信号线或、晶体管关闭、续流(电感器和电机)等,当然还有专用功能如 LED 和基准电压。
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