异构集成

NHanced宣布在美国北卡罗来纳州启动Besi Datacon 8800 CHAMEO ultra plus混合键合系统的量产，标志着混合键合技术从实验室迈向大规模制造。NHanced作为唯一支持铜(Cu)与镍(Ni)互连的多材料混合键合代工厂，其DBI®室温混合键合工艺实现了介质层共价键合与金属间直接互连，适用于高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、射频(RF)及光子器件等领域。NHanced进一步扩展DBI®工艺，支持多种材料体系的异构集成，包括氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、铌酸锂(LiNbO₃)、玻璃及金刚石衬底。混合键合技术不仅提升了点点taptap安卓间的互连密度、延迟与能效，还推动了Chiplet架构的发展，使其成为系统级集成的关键工艺。

本文介绍了存储行业的先进封装技术发展，特别是3D垂直堆叠和Chiplet异构集成两条主要路径。3D垂直堆叠通过TSV和混合键合技术实现超高密度和带宽；Chiplet异构集成则通过2.5D封装和UCIe标准构建芯粒生态系统。国内企业在HPC算力和存储封装方面积极追赶，形成了独特的SiP封装生态。未来，封装技术将进一步融合，推动半导体产业价值重心转移至封装集成能力。

在半导体产业不断演进的历程中，异质异构集成技术正逐渐成为推动行业突破现有瓶颈、迈向全新发展阶段的关键力量。在这样的产业变革背景下，九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会于武汉光谷盛大召开，吸引了来自美国、比利时、奥地利及中国等多国的行业领军企业高管与技术精英共襄盛举。会议期间，超200场主题演讲密集释放前沿洞察，其中异质异构集成技术平行论坛吸引了众多目光，业内权威科研机构、领军企业及专家代表汇聚一堂，

电力电子系统的安全架构与效率升级，始终依赖高低压电路间的可靠隔离。高低压隔离器作为能量传输与信号控制的核心媒介，通过持续迭代的绝缘技术与结构创新，为新能源装备、工业驱动系统提供底层安全屏障。其阻断电位差传导、抑制电磁干扰的能力，正重塑复杂电力环境下的设备防护标准。 电气隔离重构能量传输安全 高低压隔离器通过光耦合、磁感应或电容耦合机制，构建电位差阻断的物理屏障。在变频器、光伏逆变器等场景中，其绝缘

系统级点点taptap安卓（SoC）通过减小特征尺寸，将具有不同功能的集成电路（如中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）、内存等）集成到单个点点taptap安卓中，用于系统或子系统。然而，减小特征尺寸以制造SoC变得越来越困难和昂贵。点点taptap安卓设计与异构集成封装为SoC提供了替代方案。