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闪存

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快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗点点taptap安卓上的数据。

快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗点点taptap安卓上的数据。收起

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  • 佰维存储三季报：设计公司和模组公司走分化
    10月28日晚，佰维存储交出了一份看似让整个半导体圈侧目的成绩单。前三季度归母净利润87.68亿元，同比增长28728.12%。 佰维存储三季报一出，很多人盯着217亿营收和87亿净利润的同比增速。但真正值得看的是另一个数：Q3净利润16.02亿，环比Q2的42.67亿掉了62%。江波龙在业绩预告里也承认，存储涨价对盈利的边际贡献明显趋缓。 模组厂环比数字不好看。但把同期设计公司的财报摆一起，画面
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  • 上市5个月再赴港，大普微到底在急什么？
    大普微创业板挂牌后快速筹划H股，表面引致缺钱质疑，实则是企业级SSD研发与验证周期长达5年以上，AI存储墙推动PCIe与闪存代际窗口，公司需在主力产品热销时投入下一代主控、封测测试与海外拓展。其高增长致现金流紧张，但募资意在匹配技术时钟与全球客户信用，而非单纯缓解资金压力。
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    10/08 20:05
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  • HBF是什么？Sandisk 想给 AI 加一层“超大容量高速内存”
    Sandisk提出HBF高带宽闪存，在HBM与SSD之间新增大容量高速存储层。通过多NAND并行和先进封装实现TB/s级带宽，目标单堆栈512GB、1.6TB/s。适合大模型推理中频繁读取的模型权重，作为HBM补充而非替代；其延迟和页大小仍高于HBM，性能优势主要基于仿真。
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    09/15 20:13
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  • 把512 GiB闪存搬到xPU旁边，HBF能打破推理内存墙？
    SK海力士与闪迪联合推出HBF（High Bandwidth Flash）规范，旨在通过将大容量闪存置于GPU等加速器附近，解决AI推理中的内存墙问题。HBF通过Base Die和NAND Core Die堆叠实现高速读取和大容量存储，适用于多种AI工作负载，特别是动态缓存和多模型场景。规范详细规定了HBF的系统定位、接口标准和管理策略，强调软件在数据布局和磨损管理中的重要性。
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    存储 闪存
  • 【存储器】HBF！启动！
    SK海力士和Sandisk合作推进HBF（高带宽闪存）标准化，旨在解决AI推理应用所需的高带宽存储需求。HBF基于NAND闪存，提供比HBM更低成本和更大容量的存储解决方案，适合读取密集型工作负载。预计2026年底推出工程验证样品，2027年下半年进入大规模生产。
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  • 英伟达推迟采用HBF，加速推进HBM4E
    NVIDIA对下一代内存技术“高带宽闪存（HBF）”的采用持谨慎态度。目前，该公司的战略是专注于以现有HBM4E（第五代HBM）系统为核心，最大限度地提高AI计算效率。相比之下，谷歌则着手构建自己的AI基础设施，重点关注HBF技术的可扩展性。 据Wccftech和Digitimes于当地时间4月28日报道，全球大型科技公司在AI基础设施标准方面的技术战略差异正在加剧。 NVIDIA的技术路线图强调
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  • 铠侠与科技巨头洽谈三年长协
    据媒体4月8日（当地时间）报道，日本NAND闪存制造商铠侠（Kioxia）目前正与一家大型云服务提供商洽谈一项为期三年的长期协议（LTA），有效期至2029年。 长期协议（LTA）是指半导体供应合同从季度合同过渡到长期协议，其中数量和价格在未来几年内预先确定。客户利用长期协议在供应严重短缺时确保供应量；由于铠侠的NAND闪存面临短缺，大型科技公司正争相达成此类协议。铠侠今年的产能已全部售罄，并预计
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  • 研报 | AI服务器存储需求暴增，推升4Q25 NAND Flash前五大品牌厂营收季增23.8%
    TrendForce集邦咨询预测2025年第四季全球NAND Flash产业营收增长显著，得益于AI建设需求推动Enterprise SSD需求爆发，加上HDD缺货导致转单效应，整体NAND Flash短缺加剧，价格上涨。预计2026年第一季度NAND Flash价格将继续上涨，供应商营收有望进一步增长。主要供应商如Samsung、SK Group、Kioxia、Micron和SanDisk均表现出强劲的增长势头。随着AI需求爆发和技术升级，NAND Flash市场将持续保持高位运行。
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    NAND NAND Flash
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  • 三星SK海力士闪存利润率将达79%，超越HBM
    由于人工智能（AI）推动的内存需求激增，三星电子和SK海力士的NAND闪存营业利润率预计今年将飙升至70%左右。虽然高带宽内存（HBM）此前一直是性能增长的主要驱动力，但分析师预测，我们现在正进入一场“全面的内存牛市”，通用DRAM和NAND闪存的需求都将大幅增长。
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    三星电子 SK海力士
  • 1952-2025，闪存发展时间史
    从1952年麻省理工学院的Dudley Buck在其硕士论文中首次提出VNM概念以来，到1984年Flash原型完成，到1987年首颗NOR Flash出货，到1992年首颗NAND Flash出货，到2013年24层3D NAND Flash量产，到2025年321层3D NAND的量产。说明闪存已经成为现代信息社会不可或缺的基石，从物联网设备到手机平板，再到企业级数据中心，闪存已经遍布我们生活的每个角落，影响着每个人的生活。
    3453
    02/13 11:12
    闪存 3D NAND
    1952-2025，闪存发展时间史
  • 西部数据加速 AI 时代存储创新
    Western Digital现更名为 WD，并发布 100TB+ HDD 路线图、性能与功耗优化的硬盘技术突破，以及重新定义存储经济效益和客户价值实现速度的智能平台解决方案 核心亮点 加速的高容量路线图：实现全球容量新高的 40TB1 UltraSMR ePMR HDD 现已进入客户认证阶段；HAMR HDD 容量迈向 100TB+，并持续推进与超大规模客户的 HAMR 技术认证；ePMR 和
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    闪存 西部数据
  • SK海力士闪存将涨价100%
    三星电子和SK海力士宣布上调NAND闪存价格，提振了市场对存储器行业复苏的预期。继高带宽内存（HBM）之后，NAND闪存正成为提升性能的关键驱动力，这也印证了此前对两家公司今年合并营业利润将达到250万亿韩元的预测。 据业内人士1月26日透露，三星电子今年第一季度NAND闪存价格环比上涨超过100%。该公司去年底与主要客户签订了供货合同，此次提价将于本月生效。此前有报道称，三星电子已完成DRAM价
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  • 莱迪思MachXO4：为持久耐用而设计，为创新突破而打造
    长期以来，Lattice Mach™系列FPGA在板级控制与安全应用领域树立了性能、灵活性和能效方面的标杆。随着全新Lattice MachXO4™ FPGA系列的推出，莱迪思正重新定义下一代系统在控制与连接方面的可能性，为计算、工业、汽车、消费电子和通信等众多市场领域的应用提供极具竞争力的能效表现、卓越的可靠性和灵活的设计方案。 Lattice Mach 系列FPGA兼具无与伦比的系统可靠性、小
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  • MCX N 系列 MCU 闪存交换功能：决策指南（基于 AN14145 文档）
    MCX N系列MCU的闪存交换功能有助于提升固件升级可靠性。本文提供了详细的决策框架，包括是否启用闪存交换功能、如何配置核心参数、推荐使用的工具以及常见的故障排除方法。通过考虑升级方式、维护难度、安全需求和闪存容量等因素，可以合理地决定是否启用该功能，并针对不同应用场景进行个性化配置。此外，还介绍了恩智浦提供的标准化工具套件及其操作步骤，帮助开发者高效实施闪存交换功能。
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    2025/09/28
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  • MCX N 系列 MCU 闪存交换功能高频问答
    以下问答聚焦 MCX N 系列（以 MCX N947 为代表）闪存交换的核心价值、硬件布局、启动逻辑、固件配置、实操步骤，覆盖开发中高频疑问，答案均源自恩智浦官方应用笔记（AN14145 V1），确保准确性与落地性。
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  • 昂科烧录器支持PUYA普冉半导体的串行接口闪存PY25Q40HB-SV
    点点taptap安卓烧录领域的领导者昂科技术在推出新版烧录软件的同时，也宣布扩充了其兼容点点taptap安卓型号列表。其中普冉半导体的串行接口闪存PY25Q40HB-SV在新增型号之中，已获得昂科通用烧录平台AP8000的支持。 PY25Q40HB-SV是一款串行接口闪存器件，专为各类高容量消费类应用设计。在这类应用中，程序代码会从闪存 “映射”(shadowed)到嵌入式RAM或外部RAM中执行。该器件具备灵活的擦除架构，加之
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    点点taptap安卓烧录领域的领导者昂科技术在推出新版烧录软件的同时，也宣布扩充了其兼容点点taptap安卓型号列表。其中华邦电子的闪存存储器W25N04KWZE在新增型号之中，已获得昂科通用烧录平台AP8000的支持。 W25N04KWZ(4G位)SLC(单级单元)QspiNAND(四通道串行外设接口NAND)闪存存储器，为空间、引脚和功耗受限的系统提供存储解决方案。W25N04KWZ QspiNAND闪存整合了广泛应用的SP
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    2025/09/23
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  • RTS5765DL量产开卡详细步骤，RTS5765DL量产工具下载及使用教程分享
    小伙伴说自己的固态硬盘被拒保了，没办法只能自己学着修复，搞了N久搞不定，让我试试。拆开包装看到主控和闪存分别是RTS5765DL、N38A。 先说一下量产工具，用量产工具可以修复固态硬盘的非硬件故障，每个主控需要用各自对应的量产工具，不同的量产工具支持的闪存颗粒也有差异，因此要根据固态硬盘实际的主控型号、闪存制程下载量产工具。按照这个思路我下载好量产开卡工具，一次性成功，现在把软件怎么下载和操作教
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    2025/09/03
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  • 瑞萨电子推出面向下一代智能家电和表计类产品的超低功耗RL78/L23 MCU
    针对HMI应用所需的段码式LCD和电容式触控进行优化，为电磁炉提供精准控制；支持通过双区闪存实现便捷、安全的OTA 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出新型16位RL78/L23微控制器（MCU）产品群，进一步拓展其低功耗RL78产品家族。RL78/L23 MCU工作频率为32MHz，集成卓越的低功耗性能与双区闪存、段码式LCD控制器及电容式触控等关键功能，可应用于智能
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    2025/08/27
    MCU 瑞萨电子
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    2025/08/26
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