雪崩二极管

ISSW 2026 是第五届国际单光子雪崩二极管（SPAD）传感器研讨会，将于2026年6月1日至4日在韩国首尔延世大学举行。会议主要关注器件、架构与应用，涉及CMOS/兼容工艺、SiPM、III-V与Ge-on-Si、淬灭与前端电路、TDC、智能数据处理，以及ToF/LiDAR、时间分辨成像、低光成像、量子成像、量子随机数和量子通信等领域。以下是部分有proceedings正文的论文摘要： 1. **Optimization of Dual Epitaxial Process** - 提出了双外延工艺、full-BDTI 和四重微透镜的设计，实现了10 μm pitch的背照式charge focusing NP-type SPAD。 2. **SPAD Innovations for Sensitivity Enhancement and Pixel Scaling** - 讨论了SPAD在高灵敏度和像素缩小之间的权衡，提出了DAR SPAD、U-SPAD和L-SPAD三种改进方案。 3. **Development of BSI 10/7.5/5 μm-Pitch SPAD Sensors** - 在300 mm CMOS平台上优化了三种背照式SPAD像素，分别达到25.6%、20.8%和14.8%的940 nm PDE。 4. **Front-Side Illuminated SPAD with Enhanced Near-Infrared Sensitivity** - 介绍了前照式硅SPAD在近红外探测中的性能提升，通过掺杂优化和STI grating结构实现了较高的PDP。 5. **A Compact Front-Side-Illuminated 48×32 Pixel dToF Sensor** - 展示了一款紧凑型多区dToF传感器，适用于手机自动对焦ROI和工业场景。 这些论文展示了SPAD传感器在多个领域的最新进展和技术突破。

本文介绍了沟槽栅SiC MOSFET的动态雪崩测试原理及其两种主要测试类型——单脉冲雪崩耐量（EAS）和重复雪崩耐量（EAR）。通过实验展示了单脉冲雪崩测试的步骤和失效机制，以及重复雪崩测试对器件参数稳定性的评估。文章强调了不同测试条件下器件的雪崩能力表现，并对比了单脉冲和重复雪崩耐量的区别。最后，指出合理选择器件并配合电路设计对于提高系统可靠性的重要性。 关键词：SiC MOSFET，动态雪崩测试，单脉冲雪崩耐量，重复雪崩耐量，可靠性测试

SPAD-SoC是一种集成了单光子雪崩二极管（SPAD）阵列和数字信号处理系统的点点taptap安卓，广泛应用于激光雷达领域。本文介绍了SPAD-SoC的基本结构、工作流程及其内部组件的功能，重点阐述了光子检测与时间测量、信号处理、系统控制与数据输出等方面的内容。此外，还详细描述了SPAD-SoC的四种数据输出模式及其应用场景。最后，提及了正在进行的SPAD-SoC相关学习资料分享活动，鼓励读者参与。

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程，在保持同样低的本底噪声水平的同时，显著增强信号，而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。

一、背景介绍