800V高压平台

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  • 氮化硅基板进入黄金周期:70μm超薄量产突破,AI+SiC双轮驱动国产替代提速
    【导语】 2026年,第三代半导体封装基材赛道迎来关键拐点。氮化硅(Si₃N₄)陶瓷基板在超薄化烧结工艺上取得突破性进展,70μm级产品实现量产,一举打破长期以来0.1mm的量产厚度瓶颈。与此同时,AI算力基础设施与新能源汽车800V高压平台两大市场红利叠加释放,氮化硅基板正式进入需求高速扩张期。在海外产能紧张、交付周期拉长的背景下,产业链自主可控需求持续上升,国产高性能氮化硅基板量产方案正加速落
  • AI算力狂飙时代的数据中心供电测试 从千瓦到兆瓦的挑战与应对
    2026年,AI大模型训练推理需求呈指数级增长,单卡GPU功耗从400W攀升至1000W以上,单机柜功耗从十几千瓦跃升至数十千瓦甚至百千瓦级。Open Compute Project(OCP)等开放计算组织持续推动数据中心架构标准化,OCP APAC Summit 2026即将于8月在台北举办,多家测试测量厂商将集中展示面向AI数据中心的供电测试方案。从供电链路架构演进到测试方法论升级,AI数据中
  • 电动汽车800V超快充遇瓶颈,该从哪里技术破局?
    电动汽车(EV)的快速普及推动了电气化与集成化的深度融合。800V高压平台成为当前新能源汽车的核心技术演进方向,能够大幅提升充电速度、降低整车能耗、实现轻量化和提高电机性能上限。然而,由于核心元器件的换血成本高、电池管理系统需要重新设计以及配套基础设施的滞后,800V平台尚未全面普及。尽管SiC器件解决了这些痛点,但成本仍在下降过程中。未来,随着SiC产业链的成熟和规模化效应显现,800V架构将在更多电动汽车中广泛应用。
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    05/20 10:30
    电动汽车800V超快充遇瓶颈,该从哪里技术破局?
  • 汇川:800V SiC悬架产品已量产交付
    汇川联合动力成功量产并交付了首款800V主动悬架液压泵,采用SiC技术,标志着公司底盘业务的战略布局进入项目兑现阶段。公司计划于2026年上半年推出自主研制的800V SiC主动液压泵,进一步完善产品布局。随着高压主动悬架系统的普及,碳化硅技术的应用将加速,因其在800V高压平台下的高效性和低能耗特性,成为实现高精度控制的理想选择。
  • 为什么车企都在死磕800V高压平台?本文讲清楚了~
    电动汽车(EV)的快速普及推动了电气化与集成化的深度融合。800V高压平台成为新能源汽车的核心技术演进方向,能够大幅提升充电速度、降低整车能耗、实现轻量化与小型化,并提高电机性能上限。然而,由于核心元器件成本高昂、电池包与BMS设计复杂以及配套设施不足等问题,800V平台尚未全面普及。尽管如此,随着SiC器件成本下降和技术进步,800V架构有望在未来几年内扩展至中端家用车市场,推动电动汽车行业的发展。
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    05/08 15:02
    为什么车企都在死磕800V高压平台?本文讲清楚了~
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