SiC MOSFET器件凭借禁带宽度宽、临界击穿场强高（是硅的10倍以上）、导热系数大等材料优势，在高压、高频、高温场景中展现出显著的性能优势。与Si IGBT相比，全SiC模块的开关损耗可降低50%以上，系统电能转换效率可提升至98%以上。 然而，SiC材料的高频高速开关特性也对封装提出了远高于硅器件的挑战。封装不仅决定安装方式和散热路径，还直接影响功率回路的寄生电感、栅极回路的稳定性以及模块在
10月OCP峰会，阳光源智首次以英伟达MGX AI Factory生态伙伴身份展出EnerNeo固态变压器。其SiC技术将10kV交流直转800V直流，效率98.5%，并获TÜV莱茵系统级与关键部件级认证，成全球首款欧标美标双认证SST，具备欧美数据中心商用条件。公司依托光储能力提供从源到芯全栈供电，已获订单，标志中国SST融入全球AI算力生态。
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