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动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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  • SK 海力士 Q3 财报解读：营业利润率 80% 创历史新高，DRAM、HBM 紧缺格局或延续至 2030 年
    存储大厂 SK 海力士最新交出的 2026 年 Q3 财报，多项盈利指标创下历史新高，叠加管理层对中长期供需格局的判断，为 DRAM 与 HBM 赛道释放了关键信号，值得 IC、硬件方案以及采购供应链从业者持续关注。 财报核心经营数据：2026 Q3 营收 104.62 万亿韩元（约 753 亿美元），同比增幅 327.9%，环比增长 32%；营业利润 83.33 万亿韩元（约 600 亿美元），
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  • 佰维存储三季报：设计公司和模组公司走分化
    10月28日晚，佰维存储交出了一份看似让整个半导体圈侧目的成绩单。前三季度归母净利润87.68亿元，同比增长28728.12%。 佰维存储三季报一出，很多人盯着217亿营收和87亿净利润的同比增速。但真正值得看的是另一个数：Q3净利润16.02亿，环比Q2的42.67亿掉了62%。江波龙在业绩预告里也承认，存储涨价对盈利的边际贡献明显趋缓。 模组厂环比数字不好看。但把同期设计公司的财报摆一起，画面
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  • 突破“内存墙”，HBM4E助力构建“以数据为中心”的AI基础设施
    人工智能产业正在经历一场前所未有的高速变革。从参数规模突破万亿级的大语言模型（LLM），到持续普及的代理式AI，新一轮技术发展给现有AI基础设施带来了严峻挑战。虽然服务器峰值算力（FLOPS）实现爆发式增长，内存带宽的步伐却相对滞后，这一差距不断扩大，使得“内存墙”问题愈发突出。如今，AI基础设施的瓶颈已不再局限于单纯的算力，内存与处理器之间的数据移动效率同样至关重要。 在中国，随着AI产业快速发
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    产业链确认长鑫存储拒绝就DRAM供货向苹果报价；与此同时，另一家匿名海外服务器制造商的DDR5采购需求同样未获回应。长鑫的理由很明确：优先保障国内供应，当前九成产能已锁定华为、小米、联想等本土品牌。 这不是"情怀驱动"的决策。Counterpoint数据显示，长鑫Q2全球DRAM市场份额已达10%，较去年同期4%翻倍，位列全球第四。当一家厂商用不到十年时间从追赶者变成份额前十的产业参与者，它做的每
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    10/28 10:38
    dram
  • 高盛预警2027年DRAM缺口加剧：存储供应链的结构性重构与产业启示
    摘要：高盛最新研报指出，2026年全球DRAM供需缺口已达-4.9%，创过去15年极值，且2027年缺口将进一步扩大。在AI资本开支三年破1.4万亿美元的背景下，HBM产能虹吸效应正在重塑DRAM供应链格局，通用存储市场面临中长期结构性紧缺。 一、-4.9%缺口率：存储产业进入深度供不应求周期 高盛在8月研报中将2026年全球DRAM供需缺口锁定在-4.9%。在存储产业的历史周期中，-3%的缺口率
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  • 长鑫科技大跌8%背后的预期博弈
    长鑫科技发布亮眼前三季度业绩与回购提议后股价大跌，核心是“利好落地杀预期”：同比利润高增，但三季度环比增速和DRAM涨价斜率放缓，市场重估高估值；回购难对冲周期担忧，全球存储下跌属板块周期调整而非长鑫带崩。基本面未反转，但强周期下财报最漂亮时风险最高。
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    10/20 18:58
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  • 中国DRAM产能将激增31%
    马斯克称2028年中国将大量生产RAM，引发市场对存储周期提前见顶的担忧：中国扩产与AI投资放缓叠加。长鑫存储推进上海、合肥、北京扩产，DRAM月产能或升至50-60万片，有望全球第三；长江存储NAND市占16.5%逼近三星与SK海力士。苹果或考虑中国DRAM，韩企面临竞争，传统“超级周期”可能提前结束，但AI需求仍是关键变量。
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    长鑫公布4F² DRAM新架构进展，拟2026年底推出融合4F²、VSG和混合键合的DDR5 RDIMM。该消息扰动全球存储股价，显示中国DRAM正从产能变量转向技术变量。若能通过服务器验证并稳定量产，或将挑战三星、SK海力士、美光格局；但良率、成本和客户验证仍是关键考验。
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  • 长鑫 4F² 架构技术突破：下一代 DRAM 演进与服务器存储格局
    随着摩尔定律逼近物理极限，传统 6F² DRAM 存储单元的密度提升瓶颈日益凸显，短沟道效应与漏电问题成为制程微缩的核心制约。4F² 垂直架构被行业公认为下一代 DRAM 的核心技术路线，通过晶体管结构从水平向竖立的变革，突破平面面积限制。 近期长鑫科技官宣自研4F² 架构与 VSG 垂直环绕栅极晶体管取得关键技术突破，相关公开专利族超 300 件，预计 2026 年底推出首款融合该架构的 DDR
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    服务器 dram
  • DRAM均价暴涨60%，南亚科技Q3净利狂飙5474%！
    南亚科技Q3财报创新高：营收1336亿新台币、净利876亿，毛利率85.7%；AI需求带动DRAM均价环比涨逾60%，Q4均价及毛利率仍看升；5A新厂明年Q1装机，AI营收占比超20%，ASIC内存已小量出货。
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    10/14 19:23
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  • 长鑫IEEE论文：多层水平单元堆叠DRAM架构研发成果
    本文介绍长鑫科技IEEE论文：提出五层MHC堆叠DRAM架构，采用垂直字线和柱状电容，结合BSG/PSG封顶掺杂、双栅形成与沟道厚度优化，实现Ion/Ioff约1E8、SS约93mV/dec、Vt0.76V，并验证64层扩展可行性，为DRAM微缩提供新路径。
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    10/14 17:41
    dram 堆叠技术
    长鑫IEEE论文：多层水平单元堆叠DRAM架构研发成果
  • 从6F²到4F²：长鑫科技官宣年底推出新一代DDR5 RDIMM
    据曹堪宇介绍，长鑫自成立以来就启动了4F²的研究和专利布局，公开专利族超300件。长鑫在2021年发布了我国大陆地区首篇4F²架构相关的论文，并在2023年、2025年的两篇论文中分享了在该架构上的研发进展。
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    10/12 16:33
    dram 晶体管
    从6F²到4F²：长鑫科技官宣年底推出新一代DDR5 RDIMM
  • 韩国半导体协会重估中韩存储差距：NAND差1年、DRAM差2年、HBM差3年
    韩国半导体行业协会报告首次量化中韩存储技术差距：NAND约1年、DRAM约2年、HBM约3年。长江存储凭Xtacking架构升至NAND全球第三，长鑫存储DRAM份额约10%，中国存储正从跟跑转向自主创新竞争。
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    10/10 09:39
    半导体行业 dram
    韩国半导体协会重估中韩存储差距：NAND差1年、DRAM差2年、HBM差3年
  • 存储巨头Q3利润5370亿元，创历史新高！
    三星电子Q3初步财报显示营业利润107.4万亿韩元、营收195万亿韩元均创历史新高，同比分别增782.5%和126.6%；受益于存储涨价及AI基础设施带动HBM、服务器DRAM需求，成为韩国首家单季利润破100万亿企业。韩中工商联盟总会聚焦半导体与AI存储合作、资源对接及产业落地。
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    10/08 19:07
    dram 三星电子
  • 成本压力转向需求端，2027年笔记本市场或面临出货、价格双重影响
    2027年笔记本市场的主要风险将由供应限制转向成本上升对需求的影响。TrendForce集邦咨询目前预期2027年全球笔记本出货量将呈低个位数衰退，但若DRAM与CPU价格维持高位，品牌被迫扩大成本转嫁，导致终端售价上涨，可能进一步延长消费者换机周期，全年出货衰退幅度不排除加剧至高个位数。 2026年由于CPU供给改善、品牌提前采购及部分换机需求提前释放，支撑笔记本市场出货，但不代表终端需求实质复
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    10/08 15:30
    CPU dram
  • AI服务器增量需求支撑4Q26存储器合约价涨势，消费端压力未减
    2026年第四季，DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但是合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）将季增10%~15%。NAND Flash市场呈现AI加速与消费性需求低但仍连带涨价的双轨发展，预计整体合约价格将季增15%~20%。 PC DRAM需求部分，尽管第四季笔记本整机库存将反映出高成本原料压力、拖
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    10/08 07:16
    AI dram
    AI服务器增量需求支撑4Q26存储器合约价涨势，消费端压力未减
  • 长鑫存储全球 DRAM 份额达到 7%：产业格局、产能现状与技术挑战
    0 引言 2026 年全球 DRAM 市场迎来标志性格局变化。 Counterpoint Research 发布的 2026 年第二季度内存追踪数据显示，长鑫存储全球 DRAM 市场份额提升至 7%，超越南亚科，位列全球第四大 DRAM 供应商。 全球 DRAM 行业依旧保持极高市场集中度：三星约 39%、SK 海力士约 26%、美光约 25%，三大海外厂商依旧占据市场主体。长鑫本次市场份额突破，
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  • 长鑫科技G5宣布量产，看点何在？
    9 月 20 日，长鑫存储在 2026 世界制造业大会上宣布第五代 DRAM 技术平台（G5）量产，同步展出基于该平台的两款 24Gb LPDDR5X。官方给出的四个数字是：有源区半间距 11.95 纳米、电容深宽比 45:1、核心功能区高度 6762 纳米、每片晶圆裸片数较上一代提升至少 50%。
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    09/21 15:50
    dram
    长鑫科技G5宣布量产，看点何在？
  • 长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破
    长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。 核心工艺实现突破性创新 G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的
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    09/20 12:26
    dram 晶圆
  • 美光推出全球首款超高密度内存模组，助力下一代服务器创新
    美光先进 DRAM 封装技术助力 512GB DDR5 RDIMM 提升数据中心性能，速率高达 9,200 MT/s，运行功耗降低 60% 以上 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，公司已在多个服务器平台上成功演示全球首款 512GB DDR5 模组，标志其在内存创新领域取得重要里程碑。这一成果进一步巩固了美光在高性能、大容量服务器内存领域的领先地位，并为企业数据中心及云计算客
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    09/16 11:01
    AI dram

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