为什么光刻胶（PR）的研发比想象中要难得多？

1. 材料层面的挑战

光刻胶并不是单一化合物，而是一个复杂的多组分体系，包括：

树脂（Polymer）：决定成膜性、分辨率、刻蚀抗性；

光敏剂（Photoacid Generator, PAG）：吸收光能并生成酸，启动化学反应；

抑制剂/碱（Quencher/Base）：控制酸扩散和反应速率，保证对比度；

溶剂/添加剂：影响旋涂均匀性、膜厚和表面性质。

难点在于：

各组分必须同时满足分辨率、灵敏度、抗刻蚀性三大指标，而这三者通常相互矛盾。

化学反应的时间尺度在 纳秒级（曝光吸光）到秒级（退火扩散），要求分子结构设计极其精细。

光刻胶需要在 亚纳米量级的表面与光学/等离子体环境交互（EUV反射镜、刻蚀等离子体），材料必须兼顾高能光子响应与化学稳定性。

波长与能量要求：

i-line（365 nm）、KrF（248 nm）、ArF（193 nm）、EUV（13.5 nm）对材料的吸收曲线完全不同。

DUV和EUV光子能量差距极大（几 eV vs. 92 eV），导致分子键断裂机理完全不同。

工艺窗口很窄：

曝光剂量 (Dose)、后烘温度 (PEB)、显影液浓度 (TMAH %) 的工艺窗口必须稳定在 ±几 % 的范围内。

光刻胶材料要能容忍这种狭窄窗口，否则量产无法稳定。

叠加与多重曝光需求：

先进工艺 (7nm以下) 需要多重曝光（LELE、SAQP、EUV+DUV混合），光刻胶必须兼容不同工艺步骤和热预算，不能发生交互污染或性能退化。

缺陷控制：任何亚微米颗粒或残胶都可能造成致命缺陷 (Kill Defect)，要求光刻胶在纯度、配方稳定性上接近“零缺陷”。

批次一致性：光刻胶是化学品，但半导体制造要求 ppm级别的成分稳定性，远超化工/涂料行业。

环境敏感性：EUV光刻胶研发尤其困难：

Outgassing（析气） 会污染昂贵的EUV反射镜；

Stochastic effect（随机效应） 由光子数不足引发，会导致随机缺陷 (Missing Hole/Bridge)。

研发光刻胶的难度来源于以下三重耦合：

分子化学设计难度极高（需要兼顾多指标，还要可量产）；

工艺集成窗口极窄（必须适应光学、显影、刻蚀等全流程）；

量产可靠性要求苛刻（稳定性、纯度、环境相容性都要极限化）。

这就是为什么目前全球能量产供应先进节点光刻胶的厂商寥寥无几（日本的 JSR、TOK，美国的 DuPont，部分韩国厂商），且EUV光刻胶至今仍然是产业瓶颈。