EUV

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

极紫外辐射(EUV)或高能紫外辐射是波长在124nm到10nm之间的电磁辐射,对应光子能量为10eV到124eV。自然界中,日冕会产生EUV。人工EUV可由等离子源和同步辐射源得到。主要用途包括光电子谱,对日EUV成像望远镜,光微影技术。 EUV是最易被空气吸收的谱段,因此其传输环境需高度真空。

极紫外辐射(EUV)或高能紫外辐射是波长在124nm到10nm之间的电磁辐射,对应光子能量为10eV到124eV。自然界中,日冕会产生EUV。人工EUV可由等离子源和同步辐射源得到。主要用途包括光电子谱,对日EUV成像望远镜,光微影技术。 EUV是最易被空气吸收的谱段,因此其传输环境需高度真空。收起

查看更多
  • 全线扩产仍供不应求,光刻机被抢疯了
    佳能明年半导体光刻设备产量接近今年两倍,尼康启动0.5μm数字光刻并推出后道DSP-110,ASML客户对2027年后设备需求超扩产计划,拟提升EUV/浸没式DUV产能并提价;通快EUV光源订单增长,JSR韩国MOR光刻胶工厂竣工。光刻产业扩产与升级同步,增长仍取决于交付、量产和稳定供货。
    全线扩产仍供不应求,光刻机被抢疯了
  • 对话北京航空航天大学林楠教授:重新定义EUV光源
    AI算力扩张加剧能效压力,EUV光刻制造能耗与碳排放显著。林楠教授创办华芯极光,提出系统效率指标,以固体激光器驱动LPP EUV光源,实验室电到EUV转换效率达量产三倍以上,但需工程化验证。产业化采用换芯不换壳、低接口迁移成本策略,先从EUV量检测光源切入形成现金流,再发展光刻光源,并通过专利布局和客户信任进入全球供应链。
    对话北京航空航天大学林楠教授:重新定义EUV光源
  • 没有EUV,中国的先进制程能走多久?
    中国成功研发并推出7nm点点taptap安卓,打破了外界对中国无法突破先进制程技术封锁的质疑。虽然中国尚未建立与国际领先企业相同的先进制程体系,但通过优化现有技术、升级设备和推动国产化进程,实现了先进点点taptap安卓的量产。这表明,即使缺乏某些高端设备,通过创新和努力仍能克服技术障碍,持续进步。
  • 国产量检测要开始用EUV了
    EUV量检测技术因其高分辨率和非接触无损的特点,成为现代半导体制造的关键环节。本文介绍了三种主要的EUV光源技术路线:传统等离子体光源、加速器光源和高次谐波产生光源,并详细阐述了它们的应用场景,特别是掩模缺陷检测、晶圆量检测和材料分析等方面。国产企业在EUV光源和量检测设备研发方面取得进展,但仍面临光源性能瓶颈、产业化周期长和产业链协同要求高等挑战。随着技术的进步,国产EUV量检测设备有望在未来实现突破。
    国产量检测要开始用EUV了
  • 光刻机赛道闯入新玩家?EUV之外,另一条路正在铺开
    Terafab超级晶圆厂项目与马斯克的表态,让光刻机赛道的光源技术路线之争增添变数。特斯拉、SpaceX与xAI联合推进的德州Terafab超级晶圆厂项目,因一张渲染图中出现的环形结构引发外界猜测。马斯克随后在社交媒体上以“FEL FTW”作出回应,这使自由电子激光技术进入行业视野。然而,尽管FEL在物理原理上具有吸引力,但将其从加速器实验室转化为晶圆厂可用的工业设备,仍面临显著的工程与产业障碍。综合来看,Terafab初期仍需依赖ASML的高数值孔径EUV与浸没式DUV设备组合,FEL技术更可能作为中长期的技术储备和迭代方向,而非短期内可替代的成熟方案。
    光刻机赛道闯入新玩家?EUV之外,另一条路正在铺开
Baidu
map