EUV光刻

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极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常称作EUV光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。

极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常称作EUV光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。收起

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  • 对话北京航空航天大学林楠教授:重新定义EUV光源
    AI算力扩张加剧能效压力,EUV光刻制造能耗与碳排放显著。林楠教授创办华芯极光,提出系统效率指标,以固体激光器驱动LPP EUV光源,实验室电到EUV转换效率达量产三倍以上,但需工程化验证。产业化采用换芯不换壳、低接口迁移成本策略,先从EUV量检测光源切入形成现金流,再发展光刻光源,并通过专利布局和客户信任进入全球供应链。
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  • 存储大厂将导入EUV光刻技术!
    SK海力士计划在2028年前将高数值孔径EUV光刻技术应用于DRAM量产,以提高集成密度和生产效率。此外,公司还考虑加入由台积电牵头的大尺寸掩模联盟,以推动半导体光刻设备的进步。
  • EUV光源为什么要用锡液滴?
    EUV光由超高功率激光轰击锡靶生成,锡原子高温下变为高电离态离子,电子跃迁释放能量形成EUV光。锡因其在13.5nm波长下的高效发光效率、高转换效率及与Mo/Si反射镜的完美匹配而成为最佳选择。液滴发生器确保连续稳定的锡供应,满足高重复频率的需求,保证EUV光输出的稳定性和控制性。
  • EUV光刻,卡在了光刻胶上
    EUV光刻胶的大批量生产尚未完成,现有光刻胶薄膜难以满足尖端半导体制造商的标准。三井化学研发的碳纳米管薄膜虽有潜力,但在耐用性和透光率之间存在权衡。尽管多家公司在竞争下一代光刻胶,但具体谁能成功仍有不确定性。随着EUV光刻需求的增长,谁能在这一领域取得突破将影响深远。
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  • 千亿光刻赛道,张江跑出“唯一独苗”!
    朗道科技,一支清华校友团队,历经艰辛,从家庭实验室起步,成功研制出低功率EUV光源系统,打破国外垄断,成为中国EUV光源赛道中的独苗选手。他们通过自主开发仿真软件和硬件产品,形成了完整的研发闭环,获得了数千万元融资,立志建立中国的EUV生态系统,推动国产半导体技术进步。
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    2025/11/19
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