EUV

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极紫外辐射(EUV)或高能紫外辐射是波长在124nm到10nm之间的电磁辐射,对应光子能量为10eV到124eV。自然界中,日冕会产生EUV。人工EUV可由等离子源和同步辐射源得到。主要用途包括光电子谱,对日EUV成像望远镜,光微影技术。 EUV是最易被空气吸收的谱段,因此其传输环境需高度真空。

极紫外辐射(EUV)或高能紫外辐射是波长在124nm到10nm之间的电磁辐射,对应光子能量为10eV到124eV。自然界中,日冕会产生EUV。人工EUV可由等离子源和同步辐射源得到。主要用途包括光电子谱,对日EUV成像望远镜,光微影技术。 EUV是最易被空气吸收的谱段,因此其传输环境需高度真空。收起

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  • 全线扩产仍供不应求,光刻机被抢疯了
    佳能明年半导体光刻设备产量接近今年两倍,尼康启动0.5μm数字光刻并推出后道DSP-110,ASML客户对2027年后设备需求超扩产计划,拟提升EUV/浸没式DUV产能并提价;通快EUV光源订单增长,JSR韩国MOR光刻胶工厂竣工。光刻产业扩产与升级同步,增长仍取决于交付、量产和稳定供货。
    全线扩产仍供不应求,光刻机被抢疯了
  • 对话北京航空航天大学林楠教授:重新定义EUV光源
    AI算力扩张加剧能效压力,EUV光刻制造能耗与碳排放显著。林楠教授创办华芯极光,提出系统效率指标,以固体激光器驱动LPP EUV光源,实验室电到EUV转换效率达量产三倍以上,但需工程化验证。产业化采用换芯不换壳、低接口迁移成本策略,先从EUV量检测光源切入形成现金流,再发展光刻光源,并通过专利布局和客户信任进入全球供应链。
    对话北京航空航天大学林楠教授:重新定义EUV光源
  • 没有EUV,中国的先进制程能走多久?
    中国成功研发并推出7nm点点taptap安卓,打破了外界对中国无法突破先进制程技术封锁的质疑。虽然中国尚未建立与国际领先企业相同的先进制程体系,但通过优化现有技术、升级设备和推动国产化进程,实现了先进点点taptap安卓的量产。这表明,即使缺乏某些高端设备,通过创新和努力仍能克服技术障碍,持续进步。
  • 国产量检测要开始用EUV了
    EUV量检测技术因其高分辨率和非接触无损的特点,成为现代半导体制造的关键环节。本文介绍了三种主要的EUV光源技术路线:传统等离子体光源、加速器光源和高次谐波产生光源,并详细阐述了它们的应用场景,特别是掩模缺陷检测、晶圆量检测和材料分析等方面。国产企业在EUV光源和量检测设备研发方面取得进展,但仍面临光源性能瓶颈、产业化周期长和产业链协同要求高等挑战。随着技术的进步,国产EUV量检测设备有望在未来实现突破。
    国产量检测要开始用EUV了
  • 光刻机赛道闯入新玩家?EUV之外,另一条路正在铺开
    Terafab超级晶圆厂项目与马斯克的表态,让光刻机赛道的光源技术路线之争增添变数。特斯拉、SpaceX与xAI联合推进的德州Terafab超级晶圆厂项目,因一张渲染图中出现的环形结构引发外界猜测。马斯克随后在社交媒体上以“FEL FTW”作出回应,这使自由电子激光技术进入行业视野。然而,尽管FEL在物理原理上具有吸引力,但将其从加速器实验室转化为晶圆厂可用的工业设备,仍面临显著的工程与产业障碍。综合来看,Terafab初期仍需依赖ASML的高数值孔径EUV与浸没式DUV设备组合,FEL技术更可能作为中长期的技术储备和迭代方向,而非短期内可替代的成熟方案。
    光刻机赛道闯入新玩家?EUV之外,另一条路正在铺开
  • EUV光源为什么要用锡液滴?
    EUV光由超高功率激光轰击锡靶生成,锡原子高温下变为高电离态离子,电子跃迁释放能量形成EUV光。锡因其在13.5nm波长下的高效发光效率、高转换效率及与Mo/Si反射镜的完美匹配而成为最佳选择。液滴发生器确保连续稳定的锡供应,满足高重复频率的需求,保证EUV光输出的稳定性和控制性。
  • EUV光源的工作机理
    EUV光源系统由CO₂激光系统、光束传输、锡液滴供给、激光轰击液滴、收集镜聚焦EUVEU光、中间焦点传送至光刻机组成。CO₂激光系统负责产生并放大激光,光束传输将其导向光源腔体,锡液滴供给持续供应锡液滴,激光轰击液滴生成等离子体发光,收集镜聚焦EUVEU光,最后通过中间焦点传至光刻机进行曝光。
    EUV光源的工作机理
  • 从技术路线到时间效率之争—EUV掩模版检测的双寡头之战
    根据分析机构FMI和Dataintelo的数据,纯EUVEUV掩模版检测市场的增量市场规模约为$6亿至$8亿美元/年,随着TSMC、Intel和Samsung向3nm/2nm及High-NA技术迈进,该市场将以每年10%至15%的复合增长率增长,预计到2030年后将达到20亿美元。参考Lasertec的官方财报数据,其净利率可达30%,属于小规模、关键节点的高利润率领域。
    从技术路线到时间效率之争—EUV掩模版检测的双寡头之战
  • 绕过顶级EUV,晶圆一哥的底牌终于摊开
    台积电决定不采用High-NA EUV光刻机,而是通过自主研发的EUV光罩保护膜、GAAFET技术和协同微缩工艺,成功解决了点点taptap安卓微缩的核心难题。台积电通过计算光刻、优化工艺和转移难度的方式,实现了高效可靠的点点taptap安卓制造,保持了其在半导体行业的领先地位。
    绕过顶级EUV,晶圆一哥的底牌终于摊开
  • EUV不急换代,台积电控本保利润
    近日,在台积电2026年北美技术论坛上,台积电联席副首席运营官Kevin Zhang(张晓强)明确表示,台积电将暂缓采购High-NA EUV设备,直言现阶段台积电没有任何部署这款全新高阶光刻设备的相关计划,最快要到2029年推进A13制程节点时,才会考虑导入这款下一代点点taptap安卓制造核心设备。他表示:“我们仍然能够从现有EUV设备中获益。” 谈及暂缓采购的核心缘由,张晓强表示,设备非常非常高昂的采购成本
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    04/29 01:09
  • 海力士掀桌:HBM、EUV与美股定价权,一场存储战争正在爆发
    当存储厂商开始同时加杠杆、抢设备、重构估值体系,这就不再是一个行业周期,而是一场围绕 AI 核心资源的全面战争。 过去几十年,存储点点taptap安卓行业给投资者的印象总是离不开“周期”二字。价格涨了就扩产,扩产多了就过剩,过剩了就降价,周而复始,像是一个永远走不出的圆圈。厂商们像是在海边捡贝壳的孩子,潮水来了就拼命装,潮水退了就只能等待。 但最近,风向变了。当 SK 海力士宣布要去美国募资 100 亿美元,转头
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    03/26 22:21
  • AI引爆ASML订单:单季新增132亿欧元,还有388亿欧元未交付!
    ASML发布2025年第四季度及全年财报,营收和订单创新高,2026年一季度业绩指引优于预期,推动股价大涨。
    1238
    01/30 10:23
  • 全球疯抢光刻机
    ASML第四季度财报亮眼,新订单额超出预期,达131.58亿欧元,推动公司对2026年业绩指引上调。存储点点taptap安卓成为资本开支的主要方向,EUV订单增速强劲,预示着存储周期将持续高位。尽管当前估值较高,但中短期内ASML有望继续受益于AI基础设施建设的需求。然而,需警惕未来AI成本降低的影响,可能导致设备需求放缓。
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    01/29 14:05
  • ASML发布2025年全年财报 | 净销售额327亿欧元,净利润96亿欧元
    阿斯麦(ASML)发布2025年第四季度及全年财报。2025年第四季度,ASML实现净销售额97亿欧元,毛利率为52.2%,净利润达28亿欧元;第四季度的新增订单金额为132亿欧元,其中74亿欧元为EUV光刻机订单。ASML 2025年全年净销售额达327亿欧元,毛利率为52.8%,净利润为96亿欧元。截至2025年底,ASML的未交付订单金额为388亿欧元。ASML预计2026年第一季度净销售额
    ASML发布2025年全年财报 | 净销售额327亿欧元,净利润96亿欧元
  • 汤之上隆:台积电的竞争力,来自超150种EUV设备
    台积电2025年第三季度销售额和营业利润创新高,分别达到331亿美元和167.5亿美元,营业利润率回升至50%以上。台积电的销售额主要来源于3nm和5nm制程节点,尤其是5nm和3nm节点的销售额增长显著。相比之下,7nm及以下制程节点的销售额和晶圆投入量呈下降趋势。台积电的核心业务从智能手机转向人工智能半导体,高性能计算业务迅速崛起,预计到2025年将成为最大收入来源。台积电凭借强大的EUV光刻技术优势,保持领先地位,其设备数量远超竞争对手。
    汤之上隆:台积电的竞争力,来自超150种EUV设备
  • ASML发布2025年第三季度财报
    净销售额75亿欧元,净利润21亿欧元;预计2025年全年净销售额将增长约15%,毛利率约为52% 阿斯麦(ASML)发布2025年第三季度财报。2025年第三季度,ASML实现净销售额75亿欧元,毛利率为51.6%,净利润达21亿欧元。第三季度的新增订单金额为54亿欧元2,其中36亿欧元为EUV光刻机订单。ASML预计2025年第四季度净销售额在92亿至98亿欧元之间,毛利率介于51%至53%;预
    ASML发布2025年第三季度财报
  • 嵌入式电子的复杂世界:独立生态系统的分层迷宫
    从外部看,电子系统仿佛一个统一的学科或设备,各组成部分协同工作,浑然一体。然而揭开表象,其内在却是另一番景象:一个碎片化、多层次的世界——其中每一层都独立且复杂,衍生出各自特有的工具、专家、工作流程,甚至哲学体系。 这既是其美妙之处,也是挑战所在:它宛如一支没有指挥的管弦乐队: 每一层都如同一个独立的学科,遵循自己的创新曲线,以自身的节奏发展着。在半导体领域,我们已将技术边界推向物理极限:采用极紫
    嵌入式电子的复杂世界:独立生态系统的分层迷宫
  • ASML EUV光刻之路还能走多远?
    虽然近期台积电高管表示,台积电接下来的A16/A14制程都不会采用ASML售价高达4亿美元的High NA EUV光刻机(具有0.5数值孔径),但是英特尔则已经决定在其下一代的Intel 14A制程上选择采用High NA EUV光刻机进行量产。与此同时,为了解决为了的1nm以下制程的制造问题,ASML正在积极的研发具有0.75NA的Hyper NA EUV光刻机,这也意味着其将面临更大的技术挑战,要知道ASML花了约20年的时间才成功推动标准型EUV光刻机的规模商用。
    ASML EUV光刻之路还能走多远?
  • ASML发布2025年第一季度财报 | 净销售额77亿欧元,净利润24亿欧元
    阿斯麦(ASML)发布2025年第一季度财报。2025年第一季度,ASML实现净销售额77亿欧元,毛利率为54%,净利润达24亿欧元。第一季度的新增订单金额为39亿欧元2,其中12亿欧元为EUV光刻机订单。ASML预计2025年第二季度净销售额在72亿至77亿欧元之间,毛利率介于50%至53%3;对2025年展望保持不变,预计全年净销售额在300亿至350亿欧元之间,毛利率介于51%至53%。 (
    ASML发布2025年第一季度财报 | 净销售额77亿欧元,净利润24亿欧元
  • TEL谈半导体设备厂商的增长点
    作为一家已经有超过60年历史的老牌半导体设备厂商,TOKYO ELECTRON(简称TEL)在全球半导体产业的市场地位毋庸置疑,援引2023年的全球市场份额数据,TEL主打的十大支柱产品中,涂胶显影设备的市场占有率为90%(其中配合EUV的涂胶显影设备达到100%的市占率),干法刻蚀设备的占有率为22%,成膜设备为31%(其中原子层沉积设备为16%,化学气相沉积设备为40%,氧化扩散设备为40%)
    TEL谈半导体设备厂商的增长点

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