ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET


| 产品型号 | 数据表 | 极性 |
VDSS [V] |
ID [A] |
RDS(on) Max. [mΩ] (VGS= 10V) |
Ciss [pF] |
Qg [nC] (VGS= 10V) |
SOA的漏极 电流容许值 (VDS=48V) [A] |
封装名 (尺寸[mm]) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Pw= 10ms |
Pw= 1ms |
|||||||||
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RY7P250BM |
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Nch | 100 | 250 | 1.86 | 11300 | 170 | 16 | 50 |
DFN8080-8S (8.0×8.0×1.0) |
中国上海,2026年7月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,面向车载安全功能和保护电路开发出100V耐压MOSFET“RS4P063BPHZG”。
中国上海,2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。
中国上海,2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,面向车载应用中日益普及的48V电源系统,推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。
面向物联网终端的MOSFET热管理设计,需从导通与开关损耗分析入手,结合限流保护、热关断及封装热路径优化抑制过热失效,并通过低RDS(on)器件选型与动态驱动控制,适应高低温环境对导通电阻和阈值电压的漂移影响,保障系统稳定性。
中国上海,2025年12月18日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中,又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。
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