MOSFET

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金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。收起

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  • 菜鸟选择MOSFET的四步骤!
    一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点
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    01/13 09:34
  • MOS管开关时的米勒效应!
    米勒平台是MOSFET栅极驱动过程中的一种现象,表现为在MOSFET开通初期,Vgs电压上升缓慢并形成平台。这是由于米勒效应导致的,即栅极电容Cgd在MOSFET开通瞬间通过漏极电容Cds进行充电,造成Vgs电压上升延迟。这种现象会导致开通损耗增加,并影响MOSFET的开关速度。为了减小米勒效应的影响,通常会在栅极和源极间添加额外电容,但这样做会延长开关时间。
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    01/13 09:26
  • 英飞凌 CoolMOS 8 为长城电源的电源技术系统性能优化树立了新标杆
    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)凭借其硅基功率 MOSFET 技术 CoolMOS™,正在推动服务器电源管理领域的创新,助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600V CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET 产品系列,助力长城电源技术有限公司在更高功率等级的电源中实现更高的功率密度与更卓
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  • Diodes 公司推出超低 VCE(sat) NPN与 PNP 双极型晶体管
    Diodes 公司(Diodes)(Nasdaq: DIOD)宣布推出 DXTN/P 78Q与80Q系列,扩充符合汽车规范的双极型(Bipolar)晶体管产品组合。这两个系列是超低 VCE(sat) NPN与PNP晶体管,提供业界领先的传导效率与热性能,针对高要求的汽车电源开关与控制进行优化。 两个系列的十二款高性能器件支持广泛的电压范围,适用于12伏、24伏和48伏汽车系统。这些器件适用于栅极驱
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  • IGBT/SiC MOSFET 工业级并联设计准则:电流均衡四大核心维度实操指南
    IGBT 与碳化硅(SiC)MOSFET 并联是提升功率系统输出能力的核心方案,但其核心痛点是静态 / 动态电流不均衡,可能引发器件热失控、寿命缩短甚至烧毁。工业级设计的关键的是通过 “器件参数匹配、电路拓扑对称、驱动同步控制、热管理均衡” 四大维度,将电流不均衡系数控制在 10% 以内,同时适配两者特性差异,确保高功率场景下的可靠性。
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