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金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。收起

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    在设计一块中小功率的同步降压电路时,很多工程师会反复问同一个问题:功率级要用两颗MOSFET,一上(高边)一下(低边),能不能用一颗点点taptap安卓就搞定? 答案是肯定的。杰盛微(JSMSEMI)推出的 JSM20NP06D,就是一颗把N沟道和P沟道两颗功率MOSFET同时集成进 TO-252-4 封装的双通道互补型器件。 在设计一块中小功率的同步降压电路时,很多工程师会反复问同一个问题:功率级要用两颗MOS
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  • 英飞凌推出XDP8HD40S-1高压热插拔控制器
    扩展面向800 VDC AI服务器架构“从电网到核心(from grid to core)”的功率半导体产品组合 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出高压热插拔控制器XDP8HD40S-1,专为在±400 V和800 VDC环境下运行的下一代AI服务器电源架构中的数字电源路径保护和监测而设计。随着AI集群供电从48 V向
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  • MOSFET的6个翻车现场:写给硬件工程师的避坑清单
    功率MOSFET并非理想开关,需警惕ESD栅氧击穿、漏源尖峰雪崩、ID(max)误导、栅源瞬变击穿、SOA线性区超限及降额不足。设计应留电压裕度,按RDS(on)与热阻评估电流,优化布局、驱动和非对称Rg,平衡可靠性与效率。
  • JSM60P06D 60V P 沟道增强型沟槽 MOSFET
    在电源电路设计中,P 沟道 MOSFET 是高端开关、负载控制、电池管理方案里不可或缺的核心器件。相比于 N 沟道 MOSFET,P 沟道器件可以简化高端驱动电路,省去电荷泵等外围复杂电路,大幅降低 BOM 成本,在锂电池设备、DC‑DC 变换器、负载开关等场景备受青睐。但很多工程师选型时,常常会遇到导通电阻偏大、大电流发热严重、高温性能衰减快、器件可靠性不足等痛点。 针对低压大电流电源应用的市场
  • JSM30P04D 40V 沟槽型 P‑Channel 高速开关 MOSFET
    在电源系统设计中,MOSFET 作为电能开关的核心器件,直接决定整机效率、温升与长期运行可靠性。随着电源设备向高频化、高功率密度方向快速演进,同步降压转换器、电池管理、高边负载开关等应用,对 P 沟道 MOSFET 提出多重严苛要求:既要实现极低导通损耗,又要兼顾优秀开关速度,同时还要具备完善的抗冲击可靠性保障。 很多硬件工程师在实际选型过程中,常常会遇到现实矛盾:市面上部分 P 沟道 MOSFE
  • JSM60P04D P‑Channel 40V 功率 MOSFET
    在电力电子设计中,P 沟道 MOSFET 一直是电源开关、电池管理、电机驱动方案里不可或缺的核心器件。相比于 N 沟道 MOS,PMOS 拥有简单的上管驱动逻辑,无需复杂自举电路,非常适合做高端开关、电源反接保护、负载通断控制。但很多工程师选型时经常会遇到痛点:大电流型号导通电阻偏高、温升严重;雪崩耐量不足,感性负载容易炸管;封装散热差,PCB 设计稍微不注意就触发过热保护。 针对 40V 电压平
  • 日本团队新突破:金刚石MOSFET首次跑通电源转换电路
    日本PDS用金刚石MOSFET在6.78MHz驱动E类放大器,完成电力转换与无线供电演示,频率较此前公开报道提升超10倍,被视为全球首个金刚石半导体电源转换电路,指向无人机无线供电及物理AI,标志金刚石功率器件进入电路工程验证阶段。
  • JSM50P03D P 沟道 MOSFET
    在电源转换、负载开关、电池保护等电路设计场景中,MOS 管作为核心功率器件,其导通损耗、耐压能力、开关特性直接决定整机的稳定性与使用寿命。面对当下电子产品小型化、高可靠、降本增效的行业需求,国产功率半导体持续发力,不断推出可替代进口方案的优质器件。 杰盛微深耕功率 MOSFET 研发与生产,聚焦消费电子、工控、储能周边等应用领域,推出JSM50P03D P 沟道 MOSFET,凭借优异的电气参数、
  • 到底啥是理想二极管?手把手教你掌握理想二极管电路设计和点点taptap安卓选型
    汽车ECU电源入口需反接保护,依据ISO 16750-2。普通二极管压降大、发热明显;理想二极管用MOSFET低导通电阻降低损耗,并具备快速反向关断。以MPS MPQ5816-AEC1等车规点点taptap安卓为例,设计需关注损耗、结温、关断速度,外围需TVS、去耦、输出电容、EN处理和布局,并按电流与电压选型。
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  • JSM9958 高密度沟槽双 P‑channel MOSFET
    在消费电子、工业小功率电源设计中,双 P 沟道 MOSFET是电源路径管理、负载开关、电池保护电路的核心器件。SOP‑8 封装内置两路独立 P‑MOS,单颗器件实现双路电源控制,既简化 PCB 布局,又能够根据需求并联扩流,长期以来是硬件工程师常用的经典器件方案。 但在实际项目推进过程中,不少研发与采购团队会遇到老牌进口型号交期长、供货不稳定、成本持续上涨等现实难题。寻找引脚完全兼容、性能指标对标
  • 又有一家氮化镓企业被收购
    10月9日,XMax签署最终协议,以约412.37万美元收购HexaGaN100%股份。HexaGaN主打1200V垂直GaN MOSFET,面向AI数据中心及高压应用。XMax借此进入高压功率半导体,与AI业务协同;白皮书称GaN在AI电源架构加速渗透,多家厂商布局1200V+技术。
  • Vishay推出SOT-227封装功率模块,在提高功率转换效率的同时,无需改变PCB布局
    器件具有单开关和低边斩波器两种配置,采用先进的650 V超结MOSFET技术,优化RDS(on)-Qg之间的均衡 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出四款内置650 V超结MOSFET点点taptap安卓、采用行业标准SOT-227封装的新型功率模块--- VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-F
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  • 暴力拆解华为AI服务器电源:精准堆料
    AI服务器电源需要在有限空间内实现高功率密度转换、严格的能效指标以及长期不间断运行的可靠性,这对内部元器件的选型和电路拓扑提出了极高要求。本期点点手机版网页打不开拆解了一款市面上在售的华为AI服务器电源,看看这家在国产AI算力领域一路领先的企业,在服务器电源选型设计上究竟有哪些独到之处。 拆解 本次拆解的电源具体型号为PAC2000S12-BG,最大支持2000W功率,暴力拆解后包含了多个PCB板子,具体来看下
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  • 在有源钳位正激转换器中实现自驱动同步整流
    作者:Randyco Prasetyo,产品应用工程师 Michael Wu,产品应用工程师 摘要 自驱动同步整流能够提高有源钳位正激转换器的效率,同时避免使用隔离式次级侧栅极驱动器。本文回顾了传统自驱动方案的工作原理,并指出了它在实际应用中的局限性。文中提出了一些简单的电路修改方案,以扩展可用工作范围,使方案适用于高输出电压和低输出电压设计。文中还包含了使用有源钳位正激控制器的实测应用示例,以展
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  • JSM4805 ‑30V 双 P 沟道增强型 MOSFET
    在电源管理硬件设计中,双 P 沟道 MOSFET 广泛用于负载开关、POL 负载点电源、LED 驱动等电路,是消费电子、工业控制设备里非常核心的功率器件。面对供应链波动、交期不稳定、成本压力等行业普遍痛点,国产器件的引脚兼容、参数对标、稳定供货,成为硬件工程师选型时重点考量方向。 杰盛微(JSMSEMI)推出 JSM4805,一款‑30V 双 P 沟道增强型 MOSFET 器件,SOP‑8L 封装
  • JSM4803 双 P 沟道增强型 MOSFET
    在笔记本、便携数码、锂电池供电类产品的电源链路设计中,双 P 沟道 MOSFET 是高边开关、负载控制、电池保护电路的核心器件。长期以来,经典双 P 沟道型号被大量设计广泛引用,但供应链波动、交期压力、成本管控,一直是硬件工程师与采购团队需要面对的现实难题。 作为专注功率半导体研发制造的国产高新技术企业,杰盛微(JSMSEMI) 推出 JSM4803 双 P 沟道增强型 MOSFET。该器件采用
  • 時科MOSFET 65W PD快充解决方案
    時科 SKG108N10AD 从同步整流入手,回应快充设计五大挑战 功率做到 65W,体积还要继续缩小;输出侧电流不小,内部散热空间却十分有限。对于 PD 快充方案,效率、温升与功率密度从来不是彼此独立的指标。一个整流环节的损耗,既可能影响整机效率,也可能增加局部散热压力。 控制器的集成度不断提高,外围功率器件的匹配同样关键。同步整流 MOSFET 如何选,才能兼顾导通损耗、驱动幅度、关断应力和紧
  • JSM4459 P 沟道增强型功率 MOSFET
    随着消费电子、智能家居、便携设备市场持续迭代,电源管理的可靠性、小型化、低损耗,已经成为硬件设计不可忽视的核心指标。在各类电池供电设备、板级电源通路控制当中,P 沟道 MOSFET凭借高端驱动电路简单、外围器件少的独特优势,被大量应用在负载开关、电池保护、防反接、PWM 调制等电路当中。 在国产功率半导体快速崛起的浪潮下,杰盛微(JSMSEMI)持续深耕沟槽工艺 MOSFET 赛道,推出 JSM4

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