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N沟道功率MOSFET

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    消费电子与便携设备持续向小型化、大功率、长续航方向迭代，笔记本电脑、便携储能、电池供电系统对电源开关器件提出严苛考验：既要 PCB 占位面积足够小巧，又要承载大电流、压低导通发热，同时还需要具备足够抗冲击可靠性，应对电池系统的浪涌、负载突变等复杂工况。 很多硬件工程师在实际项目中经常遇到两难困境：传统大电流 MOSFET 封装体积大，挤占板卡布局空间；而小尺寸器件又常常出现导通电阻偏高，满负载温升
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