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宽禁带半导体

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  • 宽禁带赋能图腾柱PFC效率革新：拓扑演进、硅基瓶颈与 SiC 器件选型分析
    图腾柱无桥PFC是当前服务器算力电源、新能源充电桩、工业变频电源、储能变流器前端的主流高能效拓扑，是实现电源系统99%+超高转换效率、高功率密度的核心技术路径。相较于传统二极管桥式整流PFC，图腾柱拓扑通过移除低频整流桥，从拓扑结构根源上消除了固有导通损耗；而传统硅基MOSFET、IGBT的反向恢复损耗、开关损耗瓶颈，长期制约图腾柱PFC在大功率、高频化、连续导通模式（CCM）下的效率落地。
    467
    09/28 08:21
    PFC 宽禁带半导体
  • 两部门发文：推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展
    9月15日工信部、发改委发布电子信息制造业“十五五”规划，提出到2030年规上营收超30万亿元、研发投入强度3.5%。规划聚焦集成电路全链条攻关与先进封装、三维集成，推动SiC/GaN等宽禁带提质升级和氧化镓、金刚石等超宽禁带产业化，并布局先进材料、光电共封装、新型存储与先进计算，提升自主可控能力。
    1272
    09/16 18:19
    金刚石 宽禁带半导体
  • β-Ga₂O₃、金刚石、AlN，超宽禁带半导体三强竞逐
    随着新能源汽车、电力电子、5G通信、雷达以及高压电网等应用不断发展，电子器件正在向更高电压、更高频率和更严苛的工作环境演进。以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体已经显著推动了高效率电力电子和射频技术的发展，但当应用进一步向高压、高频拓展时，其材料性能也逐渐接近新的瓶颈。
    1390
    08/14 14:03
    金刚石 宽禁带半导体
    β-Ga₂O₃、金刚石、AlN，超宽禁带半导体三强竞逐
  • 英飞凌 CoolGaN 双向开关：第三代半导体的双向功率变革
    氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体，正加速向工业级渗透，推动双向功率器件成为新战场。英飞凌作为功率半导体龙头，通过自主研发与战略并购，推出了CoolGaN双向开关，采用GaN-on-Si技术，具备极低导通电阻与开关损耗，适用于矩阵变换器、电流源逆变器等多种应用。该产品不仅简化系统设计，提高效率，还提供了全面的生态系统支持，助力各行业实现高效、可靠的双向功率转换。
    742
    07/31 11:18
    GaN 氮化镓
  • 电力电子高频化浪潮下，650V GaN 双向开关重塑功率变换架构
    宽禁带半导体技术，尤其是氮化镓（GaN），正引领电力电子系统向高频高效演进。GaN器件因其出色的开关特性和导通性能，成为下一代高效系统的理想选择。本文介绍了650V GaN双向开关评估板，它作为新型拓扑的快速验证平台，具有极致集成、高效低损、驱动简化、高可靠性和生态完善的优点。该评估板适用于多种应用场景，包括工业电源、新能源、数据中心、充电与电源等领域，助力工程师快速开发高性能电力电子系统。
    404
    07/31 09:38
    宽禁带半导体 GaN器件
  • 南芯科技发布线性霍尔效应电流传感器
    南芯科技（证券代码：688484）发布全新线性霍尔效应电流传感器 SCS910X，为基于聚磁环的大量程电流检测提供高精度、全国产化的解决方案，可广泛应用于电动汽车电驱系统的相电流检测、光伏逆变器电流模组等大电流场景。作为南芯磁传感产品矩阵的第二款重磅系列，SCS910X 提供三种封装方式 (TO-94/BS/BV)，每种封装均在温漂精度、带宽、电流量程等关键指标上达到业界领先水平，并提供车规和工规
    682
    06/24 15:13
    传感器 新能源汽车
    南芯科技发布线性霍尔效应电流传感器
  • 零碳浪潮下亚太地区芯产业的进阶之路
    碳中和时代来临，半导体行业面临双重挑战：既是高耗能大户，也是节能减排的关键引擎。为了应对这一趋势，半导体行业采取了两条主要路径：一是通过绿色制造，即使用绿色电力、优化节能制程和推行材料循环利用，从源头削减生产碳排放；二是通过器件端技术革新，例如使用宽禁带和超宽禁带半导体新材料，大幅减少电力传输和转换过程中的能源浪费。 亚太地区作为全球半导体产业的中心，拥有丰富的应用场景、持续的政策支持和成熟的产业协同，使其在全球半导体低碳转型中扮演着至关重要的角色。通过宽禁带半导体的商业化应用和超宽禁带半导体的研发突破，亚太地区正在加速推进半导体行业的绿色升级，从而在全球碳中和进程中发挥重要作用。
    2094
    05/27 10:24
    碳中和 宽禁带半导体
  • 浙江押注"烧钱"材料，湖北死磕实验室？6省"点点taptap安卓路线"全解析
    2026年，“十四五”规划成为各省工业政策的主战场，宽禁带半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga₂O₃）等从“十三五”的探索期进入“十四五”的密集落地期。各省纷纷出台相关政策，推动宽禁带半导体产业发展。浙江押注超宽禁带，湖北追求技术突破，广东深圳专注制造落地，四川走特色工艺的错位竞争，安徽聚焦点点taptap安卓架构创新，甘肃武威以碳化硅原材料为切入点。这场“卡位战”体现了多点支撑、差异化互补的产业生态重构趋势。
    593
    05/11 14:30
    宽禁带半导体
  • 超宽禁带半导体突围战：能源革命的“高压”引擎
    当全球能源转型进入深水区，电力电子正面临一场新的革命——硅基器件的物理极限已成为能效提升的硬约束。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）崭露头角之际，一个更具颠覆性的选手——氧化镓（Ga₂O₃）悄然登场。
    990
    03/18 13:17
    SiC GaN
  • 未来已来：金刚石与宽禁带材料引领电动汽车技术革新
    电动汽车（EV）发展推动功率电子转换器向高效、紧凑、可靠的方向演进。宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石和氧化镓（Ga₂O₃），因其卓越的材料特性，在牵引逆变器、车载充电器、DC-DC转换器等领域展现出巨大潜力。SiC在高压系统中占据主导地位，GaN则以其高频特性适用于车载充电器和无线充电领域。金刚石作为超宽禁带材料，虽面临n型掺杂和成本高昂的挑战，但在未来有望实现大规模应用，特别是在超高压和高温环境中。随着材料技术的进步，宽禁带半导体将继续推动电动汽车技术革新，提高能源利用效率和系统性能。
    1342
    01/06 15:20
    电动汽车 金刚石
    未来已来：金刚石与宽禁带材料引领电动汽车技术革新
  • 在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
    作者：Frederik Dostal，电源管理专家 摘要 本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。 简介 宽禁带技术在开关模式电源中越来越受欢迎。如果电路设计人员有兴趣在未来设计中使用这项相对较新的技
    729
    2025/12/15
    宽禁带半导体 GaN技术
    在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
  • 【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望
    在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。 香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果，涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作，港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展，也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。 黄文海教
    850
    2025/04/25
    电力电子 宽禁带半导体
    【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望
  • 是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试
    是德科技（NYSE: KEYS ）增强了其双脉冲测试产品组合，使客户能够从宽禁带（WBG）功率半导体裸点点taptap安卓的动态特性的精确和轻松测量中受益。在测量夹具中实施新技术最大限度地减少了寄生效应，并且不需要焊接到裸点点taptap安卓上。这些夹具与是德科技的两个版本的双脉冲测试仪兼容。 是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试 WBG功率半导体器件对于构建电动汽车、可再生能源和数据中心等应用的高效、稳定的电力电子设备至关
    355
    2025/03/21
    数据中心 功率半导体
    是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试
  • 宽禁带半导体材料企业天岳先进申请赴港IPO
    2月25日，宽禁带半导体材料企业天岳先进发布公告，正在进行申请境外公开发行股票（H 股）并在香港联合交易所有限公司主板上市的相关工作。此次天岳先进申报港股IPO的募集资金，拟用于扩张8英寸或更大尺寸碳化硅衬底产能、持续加强研发能力等。
    590
    2025/02/26
    IPO 宽禁带半导体
    宽禁带半导体材料企业天岳先进申请赴港IPO
  • SiC SBD的振荡 Oscillation of SiC SBD
    让我们开始今天的话题，宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。
    956
    2025/01/21
    宽禁带半导体 SiC SBD
  • 宽禁带半导体“渐入佳境”
    随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展，宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的进一步发展，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体需求逐渐攀升，宽禁带半导体在技术推进、产品创新、行业布局上都迎来了新的变化。
    1344
    2024/11/18
    氮化镓 半导体材料
    宽禁带半导体“渐入佳境”
  • 融资8000万美元！从斯坦福走出的半导体激光加工技术
    近日，半导体激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布，获 8000 万美元 B 轮融资（折合人民币约5.81亿元）。本轮融资由美国创新技术基金（USIT）牵头，8VC、SAIC跟投。据媒体报道，新一轮融资将使 Halo Industries公司的总市值达到 3 亿美元。
    800
    2024/08/13
    宽禁带半导体 半导体激光器
    融资8000万美元！从斯坦福走出的半导体激光加工技术
  • 凭借 800V 电动汽车动力总成设计解决“里程焦虑”问题
    电动汽车 (EV) 普及率的上升激发了市场对优化设计、降低成本和提升车辆运行效率的需求，并为产品测试提出了新的难题。各种功率转换器和牵引逆变器构成了电动汽车动力总成子系统的核心，必须通过测试方可使其达到最出色的效率水平。尽管SiC/GaN 等宽禁带半导体器件能够为此提供积极的支持，但我们仍有其他测试难题需要应对。 800V 动力总成架构的引入堪称一次里程碑式的飞跃。下面我们就来了解一下，目前存在哪
    437
    2024/02/20
    电动汽车 示波器
    凭借 800V 电动汽车动力总成设计解决“里程焦虑”问题
  • 相遇2023慕尼黑电子展，泰克与您探讨半导体、智能汽车测试难题
    2023慕尼黑上海电子展(electronica China)正在国家会展中心（上海）举办，作为全球领先的测试测量解决方案提供商，泰克科技现场展出其领先测试解决方案，展位号国家会展中心（上海）6.2号馆A202。 慕尼黑上海电子展(electronica China)是从电子产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台，2023年7月11-13日在国家会展中心（上海）举办，涵盖新能源汽车、绿色
    407
    2023/07/13
    泰克 慕尼黑电子展
  • 泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案， 加快SiC和GaN技术验证速度
    全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展，泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自动可重复的、高精度测量功能。
    420
    2023/05/31
    宽禁带半导体

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